삼성전자, 12나노급 D램 개발 마쳐…내년께 양산

업계 최선단 공정, 생산성 20%↑·소비전력 23%↓
2023년 양산 돌입...데이터센터 등 응용처 확산

삼성전자가 개발한 12나노급 16Gb(기가비트) DDR5 D램. [사진 출처 = 삼성전자]

삼성전자가 업계 최선단인 12나노급 공정을 적용한 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고, AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다.

삼성전자는 “유전율(K)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 커패시터의 용량을 높이고, 회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계 등을 통해 업계 최선단의 공정을 완성했다”고 설명했다.

삼성전자에 따르면 이 제품은 멀티레이어 EUV(극자외선) 기술을 통해 업계 최고 수준의 집적도를 갖췄고, 이에 따라 생산성이 이전 세대 제품 대비 약 20% 향상됐다.

최대 동작속도는 초당 7.2Gb인데 이는 용량이 30GB인 UHD 영화 2편을 1초만에 처리할 수 있는 속도다.

DDR5 D램은 DDR4를 잇는 D램 반도체 규격으로, DDR4 대비 처리 속도는 2배, 용량은 4배 수준이다. [사진 출처 = 삼성전자 유튜브 캡처]

또한 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선돼 기후 위기 극복에 동참하고 있는 글로벌 IT 기업들에 최상의 솔루션이 될 것으로 기대되고 있다.

삼성전자는 2023년부터 업계 최선단, 최고 성능의 12나노급 D램을 양산하는 한편 전 세계 IT 기업과 협력하며 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 계획이다.

이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장은 “업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라고 전했다.

이어 “차별화된 공정 기술력을 통해 개발된 이번 제품은 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터·인공지능·차세대컴퓨팅 등에서 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는데 기여할 것”이라고 말했다.