삼성전자, 12나노급 D램 개발... AI·차세대 컴퓨팅 서비스 최적화

삼성전자 12나노급 D램. /삼성전자

세계 D램 1위인 삼성전자가 업계 최선단인 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고, CPU 제조사인 AMD와 호환성 검증을 마쳤다고 21일 밝혔다. 업계 최선단이자 최초로, 내년 중 양산 계획이다.

이 제품은 EUV(극자외선) 공정을 활용한 5세대 D램으로, 작년 10월 양산한 4세대(14나노급)에 비해 생산성이 약 20% 향상됐다. 회로 선폭이 더 미세해지면서 웨이퍼 하나에서 종전에 D램 100개를 만들어냈다면, 이제는 120개를 만들어낼 수 있게 된 것이다. 이번 제품은 1초에 30GB(기가바이트) 용량의 UHD(초고화질) 영화 2편을 처리할 수 있는 속도(7.2Gbps)를 구현했다. 전 세대보다 소비 전력도 23% 개선됐다고 삼성 측은 밝혔다.

삼성전자는 현재 D램 세계 1위지만, 경쟁자들의 거센 추격에 직면해있다. 지난해 4세대(14나노급)에서도 최초 양산 타이틀을 업계 3위 미국 마이크론에 뺏겼고, 이번 5세대도 최근 마이크론이 먼저 샘플을 공개했다. 마이크론은 구체적인 나노를 밝히지 않았지만, 업계에선 13나노급인 것으로 추정하고 있다. 현재 세계 D램 시장 점유율은 삼성전자가 40.6%로 1위이고, 이어 SK하이닉스(29.9%), 마이크론(24.8%) 순이다.

삼성전자 이주영 부사장(D램 개발실장)은 “업계 최선단 12나노급 D램은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것”이라며, “뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 데이터센터, 인공지능, 차세대 컴퓨팅 등에서 고객의 지속 가능한 경영 환경을 제공하는데 기여할 것”이라고 말했다.

삼성전자 12나노급 D램. /삼성전자