로옴, 히타치 전기차 부품에 4세대 SiC모스펫 공급
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일본 반도체·전자부품 회사 로옴은 13일 4세대 탄화규소(SiC·실리콘카바이드) 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET·모스펫)와 게이트 드라이버 집적회로(IC)를 일본 자동차 부품 기업 히타치아스테모에 공급한다고 밝혔다.
히타치아스테모는 전기자동차용 모터와 인버터를 개발하고 있다.
4세대 SiC 모스펫을 차량용 인버터에 탑재하면 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)보다 전비(전기차 연비)를 6% 개선할 수 있다고 로옴은 강조했다.
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(지디넷코리아=유혜진 기자)일본 반도체·전자부품 회사 로옴은 13일 4세대 탄화규소(SiC·실리콘카바이드) 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET·모스펫)와 게이트 드라이버 집적회로(IC)를 일본 자동차 부품 기업 히타치아스테모에 공급한다고 밝혔다.
히타치아스테모는 전기자동차용 모터와 인버터를 개발하고 있다. 메인 인버터 회로에 처음으로 SiC 전력 기기를 채용했다고 로옴은 전했다. 이 인버터는 2025년부터 일본 자동차에 납품된다고 설명했다.
로옴은 2010년 SiC 모스펫을 양산하기 시작했다. 4세대 SiC 모스펫을 차량용 인버터에 탑재하면 절연 게이트 양극성 트랜지스터(IGBT)보다 전비(전기차 연비)를 6% 개선할 수 있다고 로옴은 강조했다.
유혜진 기자(langchemist@zdnet.co.kr)
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