300억불 수출탑 / SK하이닉스, 해외에 판매·R&D 법인 구축해 수출 총력

SK하이닉스는 국내 이천, 청주 사업장을 포함해 중국 우시, 충칭에 생산법인 4곳과 미국, 영국, 독일, 싱가포르, 홍콩, 인도, 일본, 대만, 중국에서 판매법인 16곳을 운영하고 있다. 또 이탈리아, 미국, 대만, 벨라루스에서 연구개발 법인 4곳을 운영하는 명실상부한 글로벌 기업이다. SK하이닉스는 지난해 상반기에만 해외판매 법인은 2배 가까이 늘리며 수출 확대에 박차를 가하고 있다.

또 지난해 미국 인텔의 낸드플래시 사업부를 인수하고 이를 모태로 미국에서 자회사 솔리다임을 출범시켰다. 이 같은 활발한 해외 투자로 SK하이닉스는 올해 2분기(4~6월) 매출 13조8110억원, 영업이익 4조1926억원을 올렸다. SK하이닉스가 13조원대 분기 매출을 올린 것은 이번이 사상 처음이다. 매출은 전년 동기 대비 34%, 영업이익은 56%나 증가했다. SK하이닉스는 30여 년간 축적된 반도체 생산 운영 노하우를 바탕으로 지속적인 연구개발과 투자를 실시해 기술 및 원가 경쟁력을 확보하고 세계 반도체 시장을 선도해왔다.

SK하이닉스는 모바일과 컴퓨팅 등 각종 정보기술(IT) 기기에 필수적으로 들어가는 D램과 낸드플래시 등 메모리반도체를 중심으로 이미지센서(CIS)와 같은 시스템반도체 등을 생산하고 있다. 1984년 국내 최초로 16Kb S램을 시험 생산한 이래, 세계 최초·최소·최고속·최저전압의 혁신적인 반도체 제품을 시장에 선보이며 기술 리더십을 공고히 다져왔다.

SK하이닉스 사옥 전경.

이 회사의 지난해 연구개발비용은 4조448억원에 달한다. 작년 대비 16% 증가한 액수로 매출액 대비 9.4%에 이르는 규모다. SK하이닉스는 이처럼 연구개발에 과감한 투자를 지속해 온 결과 지난해 10월 현존하는 D램 중 최고 속도, 최대 용량의 HBM3를 세계 최초로 개발했다. 이어 올해 상반기 HBM3 양산을 시작하며 상업화했다.

지난해 12월에는 24기가비트(GB) DDR5 샘플을 출하했다. 24GB DDR5에는 EUV(극자외선) 공정을 도입한 10나노 4세대(1a) 기술이 적용됐다. 기존 10나노 2세대(1y) DDR5 제품 대비 칩당 용량이 16GB에서 24GB로 향상돼 생산효율이 개선됐고, 속도는 최대 33%나 빨라졌다. 전력 소모도 기존 제품 대비 약 25% 줄었다. 생산효율 개선에 따라 제조과정에서도 에너지 투입량을 줄였다. SK하이닉스는 이 제품을 통해 탄소 배출 저감 측면에서도 성과를 낼 것으로 보며, ESG경영(환경·책임·투명경영) 관점에서도 큰 의미가 있다.

[오수현 기자]