파워마스터반도체, SiC MOSFET 디바이스 포트폴리오 추가

파워마스터반도체(대표 김태훈)는 탄화규소(SiC) 소재의 전력 반도체 1200V SiC MOSFET의 디바이스 포트폴리오를 추가 출시했다고 27일 밝혔다.

1200V e SiC MOSFET 포트폴리오는 낮은 온 저항과 스위칭 손실, 높은 신뢰성과 전력밀도가 요구되는 급속 EV 충전시스템, 태양광 인버터, 에너지 저장시스템 등 다양한 고전력 산업용 애플리케이션에 최적화된 제품이다.

회사는 기존 1200V 80mΩ 제품에 이어 1200V 21mΩ, 1200V 40mΩ 제품을 추가했다. 또 TO-247-4L 패키지옵션도 포함했다. TO-247-4L 패키지는 기존 MOSFET의 소스, 드레인, 게이트의 3단자 패키지에 드라이버 소스 단자를 추가한 패키지다. 이를 통해 게이트 저항에 따른 스위칭 손실을 60%까지 줄이며 턴-오프 시 게이트 발진도 효과적으로 낮출 수 있다.

특히 출시된 1200V 40mΩ TO-247-4L 제품은 글로벌 SiC MOSFET 선도업체 인피니온, 울프스피드와 견줄 만한 스위칭 특성을 확보, 높은 효율과 신뢰성을 제공한다고 회사 측은 설명했다.

내년 상반기에는 650V SiC MOSFET 제품과 함께 표면실장형(SMD) 켈빈 접속 패키지인 D2PAK-7L가 포트폴리오에 추가 될 예정이다. 이를 통해 애플리케이션에 맞는 패키지와 전압별 SiC MOSFET 포트폴리오를 제공할 방침이다. 또 내년에는 차량용 국제규격인 AEC-Q101 품질인증 제품과 모터구동용 인버터에 특화된 고 신뢰성 1200V SiC MOSFET 신제품도 선보인다. 이를 통해 전기차의 온-보드 충전기(OBC), DC/DC 컨버터, 모터구동 인버터, 전동식 컴프레서 등 전기차 애플리케이션에 최적화된 SiC 제품 포트폴리오를 제공한다는 복안이다.

파워마스터반도체는 산업용뿐 아니라 차량용 SiC 전력반도체 설계·제조 기술을 보유한 전력 반도체 선도 기업이다. 실리콘(Si)반도체 소재 한계를 뛰어넘는 차세대 반도체 기술 선점을 통해 인피니온, ST마이크로, 울프스피드, 온세미, 로옴 등 글로벌 기업과 경쟁하며 시장을 확대하고 있다. 창립 4년 만에 충북 오창에 위치한 팹에 8인치 Si 웨이퍼뿐 아니라, 6인치 SiC 웨이퍼의 전 공정 구축을 완료했다. 지난해 20억원 매출을 올린 회사는 올해 150억원의 매출을 예상하고 있다. 지난해 충청도와 1000억원의 투자 MOU를 진행했으며 지난 9월 자본금을 1300억원으로 증자하고 SiC 증설을 진행하고 있다.

김태훈 대표는 “반도체 분야 경쟁이 치열한 가운데 가격보다는 품질에 더 집중했던 것이 고객 신뢰를 높일 수 있었던 비결”이라고 말했다.

윤대원기자 yun1972@etnews.com