토종 팹리스에 손 내민 삼성…차세대 반도체 개발 지원사격

넷솔, 메모리반도체 M램 개발
저전력·저용량 '틈새 시장' 공략
삼성 파운드리 공정 통해 생산

토종 팹리스(반도체 설계 전문) 업체인 넷솔이 차세대 메모리반도체인 ‘스핀 주입형 자기메모리(STT-M램·사진)’를 국내 최초로 개발했다고 11일 밝혔다. 넷솔의 STT-M램은 최근 삼성전자의 파운드리(반도체 수탁생산) 공정으로 생산했다. 반도체 분야에서 대·중소기업 간 동반 성장 기회가 마련됐다는 평가가 나온다.

넷솔의 STT-M램은 삼성 파운드리 28나노(㎚·나노미터) FD-SOI 공정을 통해 경쟁 제품 대비 가장 낮은 전력과 가장 작은 칩 크기로 개발됐다. 그간 대기업이 관심을 보이지 않았던 50억달러 규모 저전력·저용량 중심의 틈새 반도체 시장을 공략한다는 구상이다. 넷솔은 연내 STT-M램을 양산할 예정이며 2024년 코스닥시장에 상장한다는 목표다.

김영옥 넷솔 각자 대표는 “사물인터넷(IoT)과 산업용, 의료, 자동차 시장 등 다양한 응용처에 대안을 제공하겠다”고 말했다.

김우진 각자 대표도 “국내 중소기업에 삼성 파운드리가 높은 수준의 기술을 제공해 동반 성장 기회가 마련됐다”고 했다.

M램은 자성체 소자를 이용한 비휘발성 램으로, 플래시메모리보다 속도가 약 1만 배 빠르고 초저전력의 특징을 지녔다. 각종 정보기술(IT) 발달로 데이터 양이 급증하면서 전송 지연과 과도한 전력 사용 문제를 동시에 풀 수 있는 차세대 메모리 기술로 꼽힌다. P램(PRAM), R램(ReRAM) 등 주요 차세대 메모리반도체 후보군 중 데이터 처리 속도가 월등한 것으로 알려졌다. 최근 IoT기기의 내장 메모리반도체로 주로 연구되고 있다. 글로벌 M램 시장에서 경쟁 중인 주요 기업으론 미국 에버스핀 등이 있다.

미국 시장조사업체 테크나비오에 따르면 M램 글로벌 시장은 2024년 9억5271만달러(약 1조3000억원) 규모로 성장할 전망이다. 2020년부터 2024년까지 연평균 성장률은 39%에 달할 것으로 예상된다.

강경주 기자 qurasoha@hankyung.com

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