반도체 혹한기에 맞붙은 삼성전자 vs SK하이닉스...R&D 전쟁 승자는? [이종화의 세돌아이]

삼성전자 236단 V낸드 양산기술
하이닉스 저전력 모바일 D램 개발
외국인 매수 몰리며 주가반등 성공

◆ 이종화의 세돌아이 ◆

반도체 업종은 올해 최악의 성적표를 받고 있습니다. 필라델피아 반도체지수는 올해 약 39.79% 하락했고 미국의 대표 메모리 반도체 기업인 마이크론의 주가도 약 41.55% 폭락했습니다.

단 한국의 대표 반도체 기업들인 삼성전자와 SK하이닉스는 미국 반도체주와 비교하면 선방한 주가흐름을 보이고 있습니다. 삼성전자는 올해 약 22.77%(6만700원 기준) 하락했고 SK하이닉스는 약 30.27%( 8만9600원 기준) 떨어졌습니다. 물론 상장된 국가가 달라 단순 비교는 어려울 수 있지만 최근 국내 증시에 외국인 순매수세가 들어오면서 삼성전자와 SK하이닉스의 주가는 낙폭을 줄이는데 성공했습니다. 최근 5거래일 기준으로 보면 삼성전자는 2.71%, 하이닉스는 약 8.34% 반등했습니다.

이런 가운데 삼성전자와 SK하이닉스가 잇따라 R&D 성공 소식을 전했습니다. 삼성전자는 236단 V낸드 양산기술, SK하이닉스는 저전력, 고성능 D램을 개발했습니다. 메모리 반도체는 크게 휘발성 메모리와 비휘발성 메모리로 나뉩니다. 휘발성 메모리는 램(RAM)과 같이 전원이 차단됐을 때 데이터가 삭제되고 비휘발성 메모리는 솔리드스테이트드라이브(SSD)처럼 전원이 없어도 데이터가 유지됩니다. V낸드는 비휘발성 메모리를 위한 낸드플래시 기술, D램은 휘발성 메모리의 한 종류입니다. 분야는 다르지만 삼성전자와 SK하이닉스가 반도체 불황에도 R&D 경쟁을 치열하게 이어가고 있는 것으로 보입니다.

우선 삼성전자는 1Tb(테라비트) 8세대 V낸드 양산에 성공했습니다. 지난해 말 7세대인 176단 V낸드를 출시한 지 약 1년 만입니다. 삼성전자는 구체적인 단수를 밝히지는 않았지만 현재 업계에선 236단 이상으로 이를 추정하고 있습니다. 여기서 236단이란 데이터를 저장하는 셀이 쌓인 층수를 의미합니다. 약 10년 전부터 반도체 업게는 평면에서 벗어나 셀을 쌓는 방식으로 데이터 저장 용량을 키우고 있습니다. 이번 신제품의 데이터 입출력 속도는 최대 2.4Gbps에 달해 이전 제품에 비해 약 1.2배 빨라졌습니다.

SK하이닉스는 최근 D램에서의 R&D 성과를 발표했습니다. 차세대 저전력·고사양 모바일 반도체(LPDDR5X) 양산에 들어간다고 밝히면서입니다. ‘LPDDR’이란 일반 D램보다 크기가 작아 스마트폰이나 가벼운 노트북에 사용되는 모바일 D램을 뜻합니다. 뒤에 세대를 뜻하는 ‘5X’를 붙여 5세대 모바일 D램을 나타낸 명칭입니다.

SK하이닉스의 이번 D램은 이전 세대 대비 33% 빠른 8.5Gbps의 동작 속도를 자랑하고 있습니다. 이는 1초 동안 5GB 영상 13개를 처리할 수 있는 속도입니다. 특히 이전 세대보다 전력 소비를 약 25% 줄이는데 성공했습니다. 최근 성능의 상향 평준화로 인해 전력 소비를 줄이기 위한 경쟁이 치열해졌습니다. 스마트폰과 노트북 등에 사용되는 부품들의 성능은 비슷해지고 있는데, 사용하는 전력이 적다면 배터리를 줄여 무게를 경량화할 수도 있고, 제품의 사용 시간을 늘릴 수도 있기 때문입니다. SK하이닉스는 이 제품을 만들기 위해 차세대 공정 기술을 사용했는데, 삼성전자는 모바일 D램이 아닌 서버용 D램에만 적용하고 있는 것으로 알려져 있습니다.