SK하이닉스, 소비전력 25% 줄이고 속도 33% 빠른 모바일 D램 개발

SK하이닉스가 기존제품 대비 소비전력을 25% 줄이고 속도는 33% 빠른 모바일 D램의 개발에 성공했다고 밝혔습니다.

SK하이닉스는 HKMG(High-K Metal Gate)공정을 적용한 모바일 D램의 개발에 성공했다고 밝혔습니다.

대표적인 메모리 반도체인 D램은 서버·PC에 주로 들어가는 DDR과 스마트폰·태블릿에 들어가는 모바일용 LPDDR로 나뉩니다.

모바일용의 경우 낮은 전력 소모가 관건으로 SK 하이닉스가 적용한 HKMG 공정은 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있는 점이 특징입니다.

SK하이닉스는 "제품 개발 단계에서 업계 최초로 HKMG 공정을 도입했다"며 "고성능은 물론 모바일 D램 중 최저 전력소모 특성을 구현해낸 데 의미를 두고 있다"고 밝혔습니다.

IT업계는 스마트폰 5G 시대에 접어들면서 초고속, 고용량, 저전력 등을 갖춘 고성능 모바일용 D램 수요가 늘어날 것으로 전망하고 있습니다.

[사진 출처 : 연합뉴스 / SK하이닉스 제공]

김현경 기자 (hkkim@kbs.co.kr)

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