SK하이닉스, HKMG 공정 LPDDR5X 양산…소비전력 25%↓·동작속도 33%↑
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SK하이닉스가 업계 최초로 하이케이메탈게이트(HKMG) 공정을 도입한 LPDDR5X를 양산했다고 9일 밝혔다.
SK하이닉스는 LPDDR5X에 모바일용 D램 최초로 HKMG 공정을 적용했다.
SK하이닉스에 따르면 HKMG 공정을 적용한 LPDDR5는 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 정한 초저전압 범위인 1.01~1.12V에서 작동하면서 소비전력은 이전 세대 대비 25% 감소했다.
SK하이닉스는 지난해 업계 최대 용량인 18GB LPDDR5를 양산하기도 했다.
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SK하이닉스가 업계 최초로 하이케이메탈게이트(HKMG) 공정을 도입한 LPDDR5X를 양산했다고 9일 밝혔다. 유전율이 높은 물질을 사용해 소비전력은 25% 줄이고 동작 속도는 33% 향상했다.
LPDDR는 스마트폰, 노트북, 태블릿 PC 등 무선 전자기기에 사용되는 모바일용 D램이다. 전력 소비를 최대한 줄여 제품 사용시간을 늘리는 것이 관건이다.
SK하이닉스는 LPDDR5X에 모바일용 D램 최초로 HKMG 공정을 적용했다. HKMG 공정은 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부 절연막에 사용하는 방식이다. 누설 전류를 막고 정전용량을 개선함과 동시에 속도를 빠르게 할 수 있어 차세대 공정으로 꼽힌다.
SK하이닉스에 따르면 HKMG 공정을 적용한 LPDDR5는 국제반도체표준협의기구(JEDEC)가 정한 초저전압 범위인 1.01~1.12V에서 작동하면서 소비전력은 이전 세대 대비 25% 감소했다. 업계 최고 수준 전력 효율성을 확보했다.
동작 속도는 8.5Gbps를 기록했다. 이전 세대에 비해 33% 빨라졌다. 1초 동안 5GB 영상 13개를 처리할 수 있다.
SK하이닉스는 모바일 기기 수요가 지속해서 늘어남에 따라 저전력 성능을 강화한 LPDDR5X 활용도가 높아질 것으로 전망했다. 충전 빈도가 줄어 전기 사용도 감소하는 만큼 탄소 절감 효과도 기대했다.
SK하이닉스는 지난해 업계 최대 용량인 18GB LPDDR5를 양산하기도 했다.
송윤섭기자 sys@etnews.com
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