SK하이닉스, 혁신특허 개발 직원에 총 2억원 포상
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SK하이닉스가 D램 메모리 반도체 소비 전력의 효율을 개선하는 등 회사 성장과 기술혁신에 기여한 특허를 발명한 구성원에게 포상을 실시하는 '혁신특허포상' 시상식을 개최했다고 8일 밝혔다.
SK하이닉스에 따르면 올해 시상식의 최고상(금상)은 총 2건으로, D램 내부의 회로를 개선해 소비 전력을 낮춘 D램 개발 신범주 TL과 D램 내부의 불순물을 제거해 소자 신뢰성을 높인 황선환 미래기술연구원 TL, 장세억 SKHU(SK Hynix University) 교수가 수상했다.
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[서울=뉴시스] 이인준 기자 = SK하이닉스가 D램 메모리 반도체 소비 전력의 효율을 개선하는 등 회사 성장과 기술혁신에 기여한 특허를 발명한 구성원에게 포상을 실시하는 '혁신특허포상' 시상식을 개최했다고 8일 밝혔다.
SK하이닉스에 따르면 올해 시상식의 최고상(금상)은 총 2건으로, D램 내부의 회로를 개선해 소비 전력을 낮춘 D램 개발 신범주 TL과 D램 내부의 불순물을 제거해 소자 신뢰성을 높인 황선환 미래기술연구원 TL, 장세억 SKHU(SK Hynix University) 교수가 수상했다.
또 낸드, 솔루션, 패키지 등 다양한 기술 분야에 걸쳐 은상 3건, 동상 5건 등 혁신특허를 선정했다. 이를 발명한 구성원 19명은 상패와 총 상금 2억1500만원을 받았다.
한편 SK하이닉스는 2018년부터 연구 의욕을 고취하기 위해 매년 혁신특허포상 제도를 실시하고 있다.
☞공감언론 뉴시스 ijoinon@newsis.com
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