웨이퍼당 비트 집적도 업계 최고 수준 전송 속도 2.4Gbps 구현...기존 대비 1.2배
웨이퍼당 비트 집적도 업계 최고 수준
전송 속도 2.4Gbps 구현...기존 대비 1.2배
삼성전자의 1Tb TLC 8세대 V낸드.
삼성전자는 업계 최고 수준의 비트 밀도를 갖춘 ‘1Tb TLC 8세대 V낸드(이하 8세대 V낸드)’ 양산에 들어갔다고 7일 밝혔다. 비트 밀도는 단위 면적당 저장되는 비트의 수다.
이번 제품은 최신 낸드플래시 인터페이스 ‘Toggle DDR 5.0’이 적용돼 최대 2.4Gbps의 데이터 입출력 속도를 지원한다. 7세대 V낸드 대비 약 1.2배 수준이다. 또한 PCIe 4.0 인터페이스를 지원하며 향후 PCIe 5.0까지 지원할 계획이다.
앞서 삼성전자는 지난 8월 ‘플래시 메모리 서밋’과 10월 ‘삼성 테크 데이’에서 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 양산 계획과 다양한 차세대 메모리 솔루션을 발표한 바 있다. 향후 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈 서버 시장의 고용량화를 주도함과 동시에 높은 신뢰성을 요구하는 자동차 시장까지 사업 영역을 넓혀나갈 계획이다.
허성회 삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 부사장은 “시장의 고집적, 고용량에 대한 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다”라며 “8세대 V낸드를 통해 시장의 수요를 만족시키고, 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 제공해 나갈 것”이라고 밝혔다.
