삼성전자도 200단 이상 쌓았다…세계 최대 용량 8세대 V낸드 양산 시작

고용량 데이터서버, 자동자 전장 시장 겨냥

삼성전자가 양산을 시작한 200단 이상 8세대 V낸드. /삼성전자 제공

삼성전자는 7일 세계 최대 용량의 1Tb(테라비트) 8세대 V(버티컬)낸드 양산을 시작했다고 밝혔다.

삼성전자에 따르면 1Tb TLC(트리플레벨셀·셀 하나에 3비트를 저장하는 방식) 8세대 V낸드는 단위 면적당 저장할 수 있는 비트 숫자(비트 밀도)가 업계 최대 수준으로, 웨이퍼(반도체 원판)당 비트 집적도가 이전 세대와 비교해 대폭 향상됐다.

낸드플래시는 스마트폰이나 PC 등 정보기술(IT) 기기에 들어가는 데이터 저장용 반도체다. 과거에는 데이터 저장 셀을 단층 건물과 같은 2차원(2D) 구조로 만들었지만, 기술이 고도화되면서 더 높은 수준의 저장 능력을 요구 고층 건물처럼 수직(버티컬) 형태로 쌓는 기술이 고안돼 도입됐다. 2013년 23단으로 만든 3차원(3D) V낸드가 시초로, 앞선 7세대는 176단이다. 8세대 낸드는 200단 이상인 것으로 알려졌다. 또 낸드플래시는 1개의 셀에 몇 개의 정보(비트 단위)를 저장하느냐에 따라 SLC(싱글레벨셀), MLC(멀티레벨셀), TLC, QLC(쿼드러블레벨셀), PLC(펜타레벨셋) 등으로 구분한다. 정보 저장량이 늘어날수록 같은 면적에 더 많은 데이터가 저장된다.

8세대 V낸드는 최신 낸드플래시 인터페이스 규격인 ‘토글 DDR 5.0′을 적용했다. 최고 2.4Gbps(초당기가비트)의 데이터 입출력 속도를 지원, 7세대 V낸드보다 약 1.2배 빨라졌다. PCIe 4.0 인터페이스도 지원, 이후 PCIe 5.0까지 쓸 수 있게 할 계획이다. PCIe는 디지털 기기의 메인보드에서 사용되는 직렬 구조의 고속 입출력 인터페이스다.

삼성전자는 8세대 V낸드를 앞세워 차세대 엔터프라이즈(기업용) 서버시장의 대용량화를 주도하고, 동시에 높은 신뢰성을 요구하는 자동차 시장까지 사업 영역을 넓혀나갈 계획이라고 밝혔다. 허성회 삼성전자 메모리사업부 플래시개발실 부사장은 “시장의 고집적, 대용량에 대한 요구로 V낸드의 단수가 높아지면서 3D 스케일링 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다”며 “8세대 V낸드를 통해 시장의 수요를 만족시키고, 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 제공해 나갈 것이다”라고 했다.

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