반도체 겨울에도.. 삼성전자 "감산은 없다" 초격차 가속

美 실리콘밸리서 '삼성테크데이'
차세대 기술 내세워 로드맵 발표
2024년까지 9세대 V낸드 양산

5일(현지시간) 미국 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이 2022'에서 이정배 삼성전자 메모리사업부장 사장이 발표를 하고 있다. <삼성전자 제공>

삼성전자가 글로벌 경기 침체 우려로 D램, 낸드플래시 등 메모리 반도체 수요가 급감하는 혹한기에 접어들었지만 감산을 검토하지 않고 있다고 밝혔다. 아울러 내년엔 5세대 10나노급 D램을, 2024년엔 9세대 V낸드를 양산하겠다며 '초격차' 전략을 이어가겠다는 계획을 공개했다.

특히 낸드플래시의 경우 오는 2030년까지 지금보다 5배 이상 용량을 키운 1000단 V낸드를 개발하기로 했다.

한진만 삼성전자 메모리 사업부 부사장은 5일(현지시간) 미국 캘리포니아주 실리콘밸리에서 열린 '삼성 테크 데이' 미디어 브리핑에서 메모리 감산 계획과 관련해 "현재로서는 (감산에 대한) 논의는 없다"고 말했다.

그는 "인위적 감산은 없다는 게 삼성전자의 기조"라며 "다만 시장에 심각한 공급 부족이나 과잉이 발생하지 않도록 노력하고 있다"고 설명했다.

'삼성 테크 데이'는 삼성전자가 2017년부터 차세대 반도체 기술을 선보이는 자리다. 한 부사장의 언급은 미국 최대 메모리 반도체 생산업체 마이크론이 지난 29일 시장 예상치에 못 미치는 분기 실적 전망과 함께 내년 투자 축소 방침을 밝힌 가운데 나왔다.

마이크론은 7∼9월 매출을 42억5000만달러(약 6조860억원)로 예상했다. 이는 시장 전망치 매출 60억 달러를 크게 밑도는 수치다. 결국 기존 공장 생산량을 줄이고 장비 구매 예산도 삭감해 2023 회계연도 설비투자를 30% 감축하기로 했다.

낸드 시장 점유율 2위권의 일본 키옥시아(옛 도시바 메모리)도 최근 메모리 생산을 30% 줄인다고 공식 발표했다.

삼성전자는 1993년부터 메모리 시장에서 점유율(매출 기준) 1위를 기록하고 있다. 메모리 반도체 양대 축인 D램과 낸드는 각각 1992년과 2002년 1위에 올랐다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 지난해 말 기준 D램 점유율은 삼성전자가 42.70%, SK하이닉스가 28.60%, 마이크론이 22.80%를 기록 중이다.

삼성전자는 이날 차세대 단기 기억장치 D램과 장기 기억장치 낸드 양산 계획도 공개했다. 이정배 메모리사업부장 사장은 '삼성 테크 데이' 메모리 반도체 세션에서 "내년에 5세대 10나노급 D램을 생산하고, 2024년에는 9세대 V낸드를 양산할 계획"이라고 밝혔다. 현재 D램은 4세대 10나노급이 생산 중이고, 데이터를 저장하는 셀을 수직으로 쌓는 형태의 V낸드는 7세대를 양산 중이다.

올해 하반기 생산하는 8세대 V낸드는 7세대보다 단위 면적당 저장되는 비트 수가 42% 향상됐다. 5세대 10나노급 D램은 기존 같은 사양의 4세대보다 크기는 작고 성능은 뛰어나다.

삼성전자는 8세대 V낸드 512Gb TLC(Triple Level Cell·1개 셀에 3개 비트 저장) 제품도 공개하며, 512Gb TLC 제품 중 업계 최고 수준이라고 설명했다. 2030년까지 데이터 저장장치인 셀을 1000단까지 쌓는 V낸드를 개발하겠다는 목표도 내놓았다.

박은희기자 ehpark@dt.co.kr