[특징주] 삼성전자, 내년 5세대 10나노급 D램 양산 소식에 상승세

삼성전자가 내년 5세대 10나노급 D램 양산에 나선다는 소식에 상승세다.

6일 오후 1시5분 삼성전자는 전 거래일 대비 700원(1.25%) 상승한 5만6700원에 거래되고 있다.

삼성전자는 이날 미국 새너제이 시그니아호텔에서 열린 '삼성 테크데이'에서 데이터센터용 고용량 32Gb DDR5 D램, 모바일용 저전력 8.5Gbps LPDDR5X D램, 그래픽용 초고속 36Gbps GDDR7 D램 등 차세대 제품 출시 계획을 밝혔다.

내년에는 '5세대 10나노급 D램'을 양산하는 한편 하이케이메탈게이트(HKMG) 공정 등 새로운 공정 기술을 적용할 방침이다. HKMG 공정을 적용하면 저전압에서도 고성능을 구현할 수 있으며 기존 공정 대비 전력소모를 13% 줄일 수 있다.

2024년엔 9세대 V낸드를 양산하고 2030년까지 1000단 V낸드를 개발한다. 올해 세계 최고 용량의 8세대 V낸드 기반 1테라비트(Tb) TLC 제품을 양산할 계획이다. 또한 7세대 대비 단위 면적당 저장되는 비트의 수를 42% 향상한 8세대 V낸드 512Gb TLC 제품도 공개했다. 이는 512Gb TLC 제품 중 업계 최고 수준이다.

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