RF머트리얼즈, 차세대 'GaN기술' 국산화 성공 소식에 급등

(사진=RF머트리얼즈)

국내 연구진이 일본의 수출 규제 품목 중 하나인 핵심 반도체 부품 '질화갈륨(GaN) 전력소자'를 국산화하는데 성공했다는 소식에 RF머트리얼즈 주가가 급등하고 있다.

29일 오전 11시8분 기준 RF머트리얼즈는 전 거래일 대비 1770원(17.82%) 오른 1만1700원에 거래되고 있다.

앞서 한 매체 보도에 따르면 한국전자통신연구원은 일본의 수출 규제 품목 중 하나로 핵심 반도체 부품인 질화갈륨 전력소자를 국산화하는데 성공했다.

이 질화갈륨 전력소자는 출력 전력 300W, 전력 밀도 10W/mm 이상의 성능으로 기존 성능인 8.4W/mm 전력 밀도보다 우수하다.

GaN 등 화합물 반도체는 밴드갭(에너지와 에너지 사이의 빈공간)이 넓은 특성과 고온 안정성을 갖고 있다. 단일원소 반도체인 Si 반도체에 비해 전력을 75% 덜 소비한다. 또 실리콘 반도체에서 분화한 SiC 반도체보다 GaN의 성능이 더 높다.

RF머트리얼즈는 지난 5월 산업통상자원부가 진행하는 '산업용 고출력 레이저 다이오드 칩과 모듈 제조기술 국산화 과제'에 선정됐다. 이 과제는 RF머트리얼즈가 총괄사업자를 담당하고 옵토웰, 한국전자통신연구원과 한국광기술원이 질화갈륨 및 갈륨비소(GaAs) 에피 소재와 이를 이용한 레이저 다이오드 칩 개발에 참여한다.

RF머트리얼즈는 광화합물 반도체인 인듐인과 갈륨비소를 비롯해 RF화합물 반도체인 질화갈륨과 갈륨비소를 트랜지스터와 전력증폭기에 안착시킬 수 있는 패키지를 제조, 판매하는 사업을 영위하고 있다.

차은지 한경닷컴 기자 chachacha@hankyung.com 

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