RFHIC·예스파워테크닉스, GaN 반도체 합작회사 설립

화합물반도체 기업 RFHIC와 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체 제조사 예스파워테크닉스가 '질화갈륨(GaN)' 합작회사를 설립한다.

RFHIC는 최근 예스파워테크닉스와 이같은 내용의 양해각서(MOU)를 체결했다. 양사는 고성장이 예상되는 GaN 등 차세대 화합물 반도체 개발과 국산화를 함께 추진한다.

GaN 반도체는 기존 실리콘(Si) 전력반도체 대비 높은 전력 효율과 내구성을 갖추고 있다. 사용 전압이 낮고 고주파에 강해 5세대(5G) 이동통신 기지국이나 자율주행용 센서, 전기차 내부 전원장치, 무선·고속 충전기 등에 주로 사용된다.

RFHIC는 세계 최초로 GaN 소재 기반 트랜지스터를 이용한 통신용 전력증폭기를 상용화했다. 삼성전자 등 세계 주요 통신장비업체와 방산업체에 GaN 제품을 공급한다. 최근 GaN 기반 산업용 마이크로웨이브 제너레이터를 제품화하는 등 신시장을 개척하고 있다.

예스파워테크닉스는 국내 SiC 전력반도체 선도기업으로 지난 5월 SK㈜)가 지분 94.8%를 인수했다. 이번 RFHIC와 협력으로 사업 저변을 확대한다.

조덕수 RFHIC 대표는 “이번 MOU를 시작으로 GaN 무선주파수(RF) 소자와 전력반도체를 국산화하고 보다 빠른 양산을 위해 해외 주요 화합물 파운드리 기업과 협업을 할 계획”이라고 밝혔다.

정은식 예스파워테크닉스 대표는 “양사 간 긴밀한 협력으로 새로운 성장 동력을 확보함과 동시에 글로벌 화합물 반도체 시장에서 국내 업계의 입지를 강화해 나갈 것”이라고 말했다. 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 GaN 화합물반도체 시장은 지난해 7800만달러(약 1000억원)에서 2026년 11억달러(약 1조5000억원)로 15배가량 확대될 것으로 전망된다.

권동준기자 djkwon@etnews.com