DB하이텍, 에이프로세미콘과 차세대 GaN 전력반도체 공동개발

파운드리(반도체 위탁생산) 기업 DB하이텍은 22일 에이프로세미콘과 차세대 전력반도체로 각광받고 있는 질화갈륨(GaN) 전력반도체를 공동개발하는 내용의 업무협약(MOU)를 맺었다고 밝혔다. 에이프로세미콘은 2차전지 제조장비를 만드는 에이프로의 반도체 부문 자회사다.

DB하이텍에 따르면 업무협약 체결식은 경기 군포시 에이프로 본사에서 두 회사 주요 임원이 참석한 가운데 열렸다. 협약에 따라 두 회사는 2024년까지 ‘GaN 전력반도체 파운드리 공정기술개발’을 추진하고, 에이프로세미콘이 제조하는 8인치(200㎜) GaN에피웨이퍼 제품 적용을 포함하는 포괄적인 협력관계를 구축한다는 방침이다.

DB하이텍은 에이프로세미콘과 함께 신규 사업을 추진하는 GaN 전력반도체의 핵심 공정을 공동 개발, 각자 사업에 활용할 수 있게 됐다. 에이프로세미콘으로서도 안정적인 파운드리를 확보하게 됨 셈이다.

DB하이텍은 최근 GaN 전력반도체는 물론, 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체를 차세대 성장동력으로 삼고 있다. 이번 협력의 목표인 8인치 GaN 전력반도체 공정 개발은 DB하이텍이 보유한 8인치 공정 장비의 호환성을 활용할 수 있다는 점에서 파운드리 생산능력 향상에도 도움이 될 전망이다.

에이프로세미콘은 반도체설계(팹리스)기업으로, GaN 에피웨이퍼 제조기술과 소자 공정에 대한 기술을 보유하고 있다. DB하이텍은 공정 개발 과정에서 에이프로세미콘의 GaN 에피웨이퍼를 구매해 사용할 예정이다.

GaN 시장은 올해 2억7000만달러에서 2027년 20억달러 규모로, 연평균 49% 성장이 예상된다. 스마트폰과 정보기술(IT)기기의 급속충전, 데이터센터 수요가 늘어날 전망이다.