삼성전자, TSMC 따라잡을 '비밀 무기'.."3나노 반도체, 계획대로 이달 내 양산"

삼성전자가 올해 파운드리(반도체 위탁생산) 시장의 게임체인저가 될 것으로 보이는 3나노미터(㎚=10억분의 1ｍ) 반도체 공정 양산에 돌입한다. 올 상반기 중 양산에 들어가면 대만의 TSMC보다 앞서 세계 최초 기록도 세우게 된다.

삼성전자는 22일 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 공정이 “계획대로 진행되고 있다”고 밝혔다. 앞서 삼성전자는 GAA 기술을 적용해 올해 상반기 내 대만의 TSMC보다 먼저 3나노 반도체 양산을 시작하겠다는 목표를 제시했다. 올해 상반기가 며칠 남지 않으면서 양산 계획이 무산되는 것 아니냐는 관측이 최근 나오자 이를 반박한 것이다.

GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적을 줄이고 소비전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술로, 반도체 소형화와 고성능화를 함께 실현시킬 수 있다. 지난달 삼성의 경기 평택 반도체 공장을 방문한 윤석열 대통령과 조 바이든 미국 대통령은 방명록 대신 반도체 웨이퍼에 서명을 남겼는데, 이 웨이퍼에는 세계 최초로 GAA 기반 3나노미터 공정이 적용됐다. 반도체업계에서는 파운드리 분야 세계 1위 기업인 대만의 TSMC에 대항할 삼성전자의 ‘비밀 무기’라는 해석도 나온다. TSMC는 올해 하반기에 3나노 반도체를 양산할 것이라고 밝힌 바 있다.

시장조사기관 트렌드포스에 따르면 TSMC는 올 1분기 기준 파운드리 시장점유율 53.6%로 압도적인 1위를 유지하고 있다. 2위 삼성전자는 점유율 16.3%로 지난해 4분기(18.3%)보다 뒷걸음쳤다. 삼성전자가 3나노 양산에 먼저 성공하면 TSMC보다 기술력에서 우위를 다지며 점유율 반등에도 성공할 것이라는 관측이 나오고 있다. 삼성전자는 3나노 양산을 계기로 시스템 반도체 분야에서도 세계 정상에 오르겠다는 ‘시스템 반도체 2030 비전’에 속도를 낼 계획이다. 삼성전자가 170억달러를 투입해 미국 텍사스주 테일러시에 건설할 제2 파운드리 공장도 공사에 들어갔다.

최근 삼성은 반도체 등 핵심산업에 향후 5년간 총 450조원을 투자하겠다고 밝혔다. 이재용 삼성전자 부회장은 2주간의 유럽출장을 마치고 지난 18일 귀국하면서 “아무리 생각해봐도 첫번째도 기술, 두번째도 기술, 세번째도 기술 같다”며 기술의 중요성을 강조한 바 있다.

이윤정 기자 yyj@kyunghyang.com