삼성, 세계 첫 3나노 공정 양산 예고.. '초격차 기술 경영' 탄력
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삼성전자가 세계 최초로 파운드리(반도체 위탁생산) 3나노미터(㎚·10억분의 1) 공정 양산에 돌입한다.
22일 업계에 따르면 삼성전자는 다음 주 중 차세대 기술인 게이트올라운드(GAA) 기반의 3나노 반도체 공정 양산을 공식 발표할 것으로 알려졌다.
삼성전자가 3나노 양산에 돌입할 경우 TSMC보다 기술력에서 앞선다는 것을 고객사에 보여주면서 파운드리 시장에서의 위상도 강화될 것이라는 분석이 나온다.
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수율 우려 씻고 "상반기중 시작"
경쟁사 TSMC보다 한발 앞서
파운드리 시장 위상 강화 전망
패키지 기판 3000억 추가 투자
삼성전기, 수요 증가 적극 대응
22일 업계에 따르면 삼성전자는 다음 주 중 차세대 기술인 게이트올라운드(GAA) 기반의 3나노 반도체 공정 양산을 공식 발표할 것으로 알려졌다.
GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적을 줄이고 소비전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술이다. 지난달 조 바이든 미국 대통령이 삼성전자 평택공장을 찾았을 때 GAA 기반 3나노 시제품에 서명해 화제를 모았다.
삼성전자는 GAA 기술을 적용해 올해 상반기 내에 TSMC보다 먼저 3나노 양산을 시작하겠다는 목표를 제시해왔다. TSMC는 올해 하반기에 3나노 반도체를 양산한다는 계획을 밝혔다.
삼성전자는 메모리 반도체 점유율은 1위지만, 파운드리 시장에서는 TSMC에 밀려 2위에 머물렀다.
삼성은 이번 3나노 양산을 통해 TSMC가 독주하는 파운드리 시장의 판세를 초미세 공정 기술력으로 뒤흔든다는 방침이다.
최근 이 부회장이 유럽 출장길에 돌아와 “첫 번째도 기술, 두 번째도 기술, 세 번째도 기술”이라며 기술의 중요성을 강조한 것도 같은 맥락이다.
한편, 삼성전기는 반도체 패키지기판(FCBGA) 사업에 3000억원을 추가로 투자한다고 이날 밝혔다. 삼성전기는 지난해 12월 베트남 생산법인에 1조3000억원, 올해 3월 부산사업장에 3000억원 규모의 반도체 패키지기판 투자를 발표한 바 있다. 이번 투자까지 합치면 증설 투자에 투입되는 총금액은 1조9000억원에 달한다.
패키지기판은 고집적 반도체 칩과 메인 기판을 연결해 전기적 신호와 전력을 전달하는 기판으로, 고성능·고밀도 회로 연결을 요구하는 중앙처리장치(CPU), 그래픽처리장치(GPU)에 주로 사용된다.
삼성전기는 이번 투자를 기반으로 반도체 패키지기판 수요 증가에 적극적으로 대응한다는 방침이다. 패키지기판 시장은 CPU, GPU 반도체의 고성능화에 따라 하이엔드급 제품을 중심으로 수요가 늘어날 것으로 전망된다. 아울러 삼성전기는 국내 최초로 서버용 반도체 패키지기판을 연내 양산한다는 계획이다.
남혜정 기자 hjnam@segye.com
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