삼성전자, GAA기반 3나노 반도체공정 세계 최초로 양산

내주 상반기 양산 공식 선언
대만 TSMC보다 기술 앞서
당정, 삼성 평택캠퍼스 방문

삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산)에서 세계에서 가장 앞선 3나노미터(10억분의 1m) 공정을 활용한 제품 생산에 나선다.

22일 업계에 따르면 삼성전자는 다음주 차세대 GAA(게이트올어라운드) 기반 3나노 반도체 공정의 양산을 공식 발표할 것으로 알려졌다. GAA는 기존에 삼성이 사용한 핀펫(FinFET) 기반보다 칩 면적은 줄이면서 성능과 배터리 효율은 높이는 신기술이다. 지난달 조 바이든 미국 대통령이 삼성전자 평택공장을 찾았을 때 GAA 기반 3나노 시제품에 서명해 화제가 됐다.

삼성전자는 그동안 GAA 기술을 적용한 3나노 양산을 올해 상반기에 시작한다는 목표를 제시해왔다. 파운드리 업계 1위인 대만 TSMC는 올해 하반기 3나노 반도체 계획을 밝힌 바 있다. TSMC는 3나노까지는 기존 핀펫 방식을 사용하고 2나노 공정부터 GAA를 적용할 예정이다.

그동안 업계에서는 삼성전자가 수율 문제로 3나노 양산을 연기하는 것이 아니냐는 관측이 나왔다. 실제로 올해 초 4나노 공정에서도 수율 문제로 고객사가 이탈하는 등 진통을 겪기도 했다. 하지만 이번에 상반기 3나노 양산을 공식화함으로써 TSMC보다 앞선 기술력을 과시함과 동시에 핵심 고객 유치에도 탄력을 받을 것으로 보인다.

대만 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 1분기 파운드리 시장 점유율은 TSMC가 전년 말의 52.1%에서 53.6%로 소폭 상승했으며, 삼성전자는 같은 기간 18.3%에서 16.3%로 소폭 줄었다. 한편 윤석열 대통령의 '반도체 강화' 주문에 여당 의원들과 이종호 과학기술정보통신부 장관이 이날 삼성전자 평택캠퍼스를 찾았다. 국회 차원의 특별위원회 구성안이 거론되는 가운데, 당정이 반도체 지원을 위한 실행방안 모색에 착수한 것이다.

[이승훈 기자 / 정주원 기자]

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