마이크론 EUV 활용 D램 생산계획 본격화

삼성전자가 지난해 10월부터 양산하고 있는 업계 최선단 EUV 멀티레이어 14나노 공정으로 만든 DDR5 D램 칩과 모듈 이미지. <삼성전자 제공>

미국 마이크론도 EUV(극자외선) 노광장비를 활용한 D램 생산 계획을 본격화했다. 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론이 삼분할하고 있는 글로벌 메모리반도체의 초미세공정 개발 경쟁 역시 더욱 속도전으로 변모할 전망이다.

29일 대만 디지타임스와 타이페이타임스 등 외신에 따르면 마이크론은 올해 안에 대만 타이중 반도체 공장에 EUV 노광장비를 도입해 10나노 6세대 D램 생산에 대한 설비투자를 시작할 계획이다. 산제이 메로트라 마이크론 CEO가 최근 대만에서 열린 IT 전시회 '컴퓨텍스 2022'에서 이 같은 계획을 발표했다.

EUV는 극자외선 파장의 광원을 활용해 반도체 웨이퍼 위에 회로 선폭을 새기는 노광 장비다. 불화크립톤(KrF) 또는 불화아르곤(ArF)을 광원으로 하는 심자외선(DUV) 장비보다 더 짧은 파장의 광원을 활용해 미세한 회로를 구현할 수 있는 것이 특징이다. EUV 장비는 기존에는 7나노 이하 초미세공정이 필요한 파운드리(반도체 위탁생산)에서나 필요한 장비였지만, 최근 D램에서도 10나노대 초반의 차세대 제품 개발이 활발해지면서 D램 제조사들이 앞다퉈 EUV를 도입하고 있다. 국내 1·2위이자 글로벌 1·2위인 삼성전자와 SK하이닉스는 이미 D램 공정에 EUV를 도입했으며, 그 뒤를 쫓는 마이크론 역시 EUV 도입 목표를 다시 한 번 공식화한 것이다.

글로벌 D램 시장은 한국 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론, 대만 난야, 윈본드, PSMC의 6개 기업이 시장의 98% 이상을 장악하고 있다. 이 중에서도 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 상위 3개사의 시장점유율이 94% 수준에 달한다.

이들 3사는 차세대 D램 기술력과 관련해서도 적극적인 경쟁 구도를 구축하고 있다. 특히 최근에는 후발 주자인 SK하이닉스와 마이크론이 1위 기업보다 더 빨리 차세대 기술을 양산할 수 있다고 적극적인 홍보에 나서고 있다. 지난해 1월 말 마이크론이 세계 최초로 10나노 4세대 D램 제품을 출하했다고 발표한 것이 대표적이다. 이후 7월에는 SK하이닉스가 세계 최초로 EUV를 적용한 10나노 4세대 D램을 양산한다고 밝혔다. 경쟁사들의 신제품 소식이 이어지자 삼성전자는 지난해 1분기와 2분기 각각의 실적발표 컨퍼런스콜을 통해 차세대 D램 제품의 선폭에 대한 정보와 EUV 적용 레이어 등을 공개하면서 기술 격차에 대한 자신감을 내보이기도 했다.

지난해 10월부터 EUV공정을 적용한 14나노 D램을 양산하고 있는 삼성전자를 비롯해 이들 3개사는 현재 12~13나노대의 10나노 5세대 D램 개발에 속도를 내고 있다. 특히 마이크론은 이달 초 진행한 인베스터 데이에 이어 최근 컴퓨텍스 행사에서 10나노 5세대 D램을 올해 안에 생산하겠다고 밝히는 등 삼성전자와 SK하이닉스보다 먼저 신제품 출시 계획을 공식화하는 등 속도 경쟁에 불을 지피고 있다.전혜인기자 hye@dt.co.kr