삼성전자 세계 최초 3나노 반도체 웨이퍼에 적힌 '윤석열' 'Biden'

한미 정상, 삼성반도체 평택캠퍼스에서
3나노 반도체 시제품 웨이퍼에 서명

취임 후 한국을 첫 방문한 조 바이든 미국 대통령이 윤석열 대통령과 20일 오후 경기도 평택시 삼성전자 반도체공장을 방문, 조만간 양산에 돌입하는 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 세계 최초 3나노 반도체 시제품에 사인하고 있다. /연합뉴스

윤석열 대통령과 방한한 조 바이든 미국 대통령이 20일 삼성반도체 평택캠퍼스에서 곧 양산에 돌입하는 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 세계 최초 3나노 반도체 시제품에 서명했다.

바이든 대통령은 이날 오후 대통령 전용기인 에어포스원으로 주한 미 공군 오산기지에 도착한 후 2박3일 간의 방한 첫 일정으로 삼성반도체 평택캠퍼스를 찾았다. 바이든 대통령은 이재용 삼성전자 부회장의 안내를 받으며 윤 대통령과 22분간 공장을 둘러봤다.

이 부회장은 윤 대통령과 바이든 대통령의 공장 시찰이 끝난 후 단상에 올라 영어로 짧게 한미 간의 반도체 협력을 강조하는 연설을 했다. 이어 단상 밑에 있던 윤 대통령과 바이든 대통령을 소개하고, 각각 악수했다.

취임 후 한국을 첫 방문한 조 바이든 미국 대통령이 윤석열 대통령과 20일 오후 경기도 평택시 삼성전자 반도체공장을 방문, 조만간 양산에 돌입하는 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 세계 최초 3나노 반도체 시제품에 사인했다. /연합뉴스

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