에이프로세미콘, 신성장 동력 '저전압 GaN 전력 반도체' 추진

200V 이하 GaN 반도체 개발 착수
모바일·라이다·IoT 기기 겨냥
고전압 GaN 반도체 양산 기술 등
포트폴리오 늘려 수익 창구 다각화

에이프로세미콘이 저전압 질화갈륨(GaN) 전력 반도체를 개발한다. 고전압 GaN 반도체 생산 수율 안정화로 양산 기술력을 확보하는데 성공, 신규 제품 포트폴리오를 확보한다. 에이프로는 이차전지 활성화 공정 장비 기업 에이프로 반도체 사업부가 2020년 별도법인으로 분사한 회사다.

에이프로세미콘 8인치 650V GaN 전력반도체 소자

에이프로세미콘은 200V 이하급 저전압 GaN 전력 반도체 개발 프로젝트를 개시했다고 16일 밝혔다. GaN은 실리콘 반도체 대비 고전압·고내열성이 우수해 차세대 전력 반도체 소재로 주목받는다. 에이프로세미콘은 올해 8인치 에피웨이퍼로 650V급 고전압 GaN 반도체 수율 안정화에 성공했다. 여기에 저전압까지 제품 영역을 확대, 시장 저변을 넓힌다.

에이프로세미콘이 겨냥한 저전압 GaN 전력반도체 수요처는 모바일과 라이다, 사물인터넷(IoT) 기기, 소형 가전, 무선 충전 등이다. 기존 고전압 GaN 반도체는 이차전지 활성화 공정 장비에 공급한다. 에이프로의 배터리 장비와 에이프로세미콘 전력 반도체 간 시너지를 극대화하려는 전략이다. 저전압 제품까지 확보하면 에이프로 반도체 내재화 뿐 아니라 독자적인 시장 공략도 가능하다. 에이프로세미콘은 저전력 GaN 반도체가 신성장 동력이 될 것으로 기대했다.

에이프로세미콘 신제품 개발은 GaN 반도체 기술력을 신속히 축적할 수 있었던 덕분이다. 에이프로세미콘은 작년 국내 최초로 8인치 에피웨이퍼 양산 장비인 '유기화학증착장비(MOCVD)'를 도입했다. 지난해부터 MOCVD를 가동하며 빠르게 수율을 안정 궤도에 올렸다. GaN 반도체 성능을 높이기 위해서는 에피웨이퍼 두께와 도핑 균일도가 중요하다. 회사는 99% 균일도를 달성, 글로벌 수준에 도달했다. 고내압 전력 반도체 개발에 꼭 필요한 1000V에 근접한 항복전압도 달성했다. 에이프로세미콘은 “기존에 개발된 기술을 기반으로 제품을 다양화하는 만큼 연구개발(R&D)에 투입되는 시간이 길지 않을 것”이라고 설명했다.

에이프로세미콘은 고전압 GaN 반도체의 꾸준한 양산과 저전압 등 신제품 개발로 수익 창구를 다각화한다. GaN 반도체는 자동차와 신재생에너지 등 응용 분야가 다양해 시장이 빠르게 성장하고 있다. 시장조사업체 마켓앤마켓에 따르면 GaN 반도체 시장 규모는 지난해 194억달러에서 2026년 249억달러로 성장할 전망이다.

회사는 제품 포트폴리오 확대가 완료되면 직접 자금 조달에도 나설 예정이다. 투자 유치를 통해 사업 규모를 키운다. 에이프로 관계자는 “에이프로세미콘 반도체 사업이 본격화하면서 시장에 빠르게 진출하고자 기존 제품 평가 절차와 새로운 제품 개발을 동시에 진행하고 있다”며 “전력산업 분야 최고 기업으로 거듭나고 기업 가치를 제고할 수 있도록 반도체 사업을 적극 추진하겠다”고 밝혔다.

[에이프로세미콘 주요 일지]

권동준기자 djkwon@etnews.com