'반도체 공룡' 삼성-TSMC, 설비·R&D투자 기싸움 계속된다
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올해 '반도체 공룡' 기업들의 역대급 설비·연구개발 투자 경쟁이 본격화 될 전망이다.
16일 외신과 업계 등에 따르면 글로벌 파운드리(반도체 위탁생산) 업계 1위인 대만 TSMC는 지난 13일 2021년 4분기 실적 발표에서 올해 설비투자를 지난해보다 3분의 1 이상 늘릴 계획이라고 밝혔다.
업계에서는 삼성전자가 올해는 평택캠퍼스 증설과 미국 파운드리 2공장 착공 등을 포함해 총 40조원 규모의 투자를 집행할 것으로 관측하고 있다.
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파운드리 준독점 지위 강화 전략
삼성, 40조 규모로 맞불 놓을듯
올해 '반도체 공룡' 기업들의 역대급 설비·연구개발 투자 경쟁이 본격화 될 전망이다.
급속도로 성장 중인 빅데이터와 자율주행·사물인터넷(IoT) 등 신규 시장을 누가 먼저 장악할 지를 두고 소위 '쩐의 전쟁'을 시작하는 것이다.
16일 외신과 업계 등에 따르면 글로벌 파운드리(반도체 위탁생산) 업계 1위인 대만 TSMC는 지난 13일 2021년 4분기 실적 발표에서 올해 설비투자를 지난해보다 3분의 1 이상 늘릴 계획이라고 밝혔다.
지난해 TSMC의 투자 규모는 300억 달러(약 37조원)에 달한다. 이를 고려하면 올해 투자 규모는 400억~440억 달러(약 47조5000억원~52조3000억원)에 이를 전망이다.
지난해 초 발표했던 설비투자 계획(280억 달러)을 초과해 투자했던 점을 고려하면, 올해 실제 투자액도 비슷한 추이를 보일 가능성이 높다는 게 업계의 분석이다.
반도체 공급난의 장기화로 반도체 생산설비, 특히 파운드리에 대한 중요성이 더욱 커지고 있는 가운데 해당 분야에서 준독점적 지위를 더욱 강화하기 위한 전략으로 풀이된다. TSMC는 글로벌 파운드리 업계에서 50% 이상의 시장점유율을 보유하고 있는 기업으로, 2위인 삼성전자가 17%대의 점유율을 기록하고 있으나 격차를 줄이는 것이 쉽지 않은 상황이다.
웨이저자 TSMC CEO(최고경영자)는 "현재 사업이 구조적인 고성장 구간에 진입했으며, 업계 수준을 상회하는 성장성을 보일 수 있을 것"이라며, 향후 수년간의 매출 연평균 성장률 전망치를 기존 10~15%에서 15~20%로 상향했다고 설명했다.
특히 TSMC는 지난해 고성능컴퓨팅(HPC)과 5G 이동통신 등 IT부문의 성장이 매출 성장에 큰 역할을 했다고 설명하며, 올해 투자 규모의 70% 이상을 2~7㎚(나노) 공정 개발에 투자할 예정이라고 강조했다.
파운드리 시장에서 7나노 이하 공정은 TSMC와 삼성전자만이 생산 가능하다. 양사의 점유율 차이 역시 전체 시장과 비교하면 미세공정의 차이는 크지 않은 편이다.
삼성전자와 TSMC는 최근 3나노 공정 양산 시기를 두고 자존심 싸움을 벌이고 있다. TSMC가 올해 하반기 3나노 양산에 들어간다고 발표했는데, 삼성전자가 이보다 최대 6개월 앞당겨 상반기에 3나노 양산에 돌입한다며 차세대 기술인 GAA(게이트올어라운드) 공정도 적용하겠다고 밝힌 것이다.
이런 상황에서 TSMC는 3나노는 물론 2나노 공정 도입에도 속도를 내고 있어, 삼성전자에 주도권을 뺏기지 않기 위해 투자를 확대하고 있다는 분석이 나온다.
이에 맞서 삼성전자는 오는 2030년까지 파운드리를 포함한 시스템반도체 분야에 총 171조원을 투자하겠다는 계획을 세웠으며, 지난해에는 향후 3년간 반도체와 바이오 등 신성장사업에 240조원을 신규 투자하겠다고 밝히기도 했다. 삼성전자는 지난해 3분기까지 반도체 부문에 총 29조9000억원을 투자했다. 업계에서는 삼성전자가 올해는 평택캠퍼스 증설과 미국 파운드리 2공장 착공 등을 포함해 총 40조원 규모의 투자를 집행할 것으로 관측하고 있다.
특히 상반기 중 착공될 예정인 미국 파운드리 2공장의 경우 기존 오스틴 공장과 달리 첨단 파운드리 공정이 적용될 것이라는 기대가 나온다.
파운드리 재진출을 선언하며 TSMC와 삼성전자의 '경쟁자'가 되겠다는 포부를 밝힌 인텔의 투자 규모에도 관심이 집중된다. 인텔은 지난해 파운드리 사업에 재진출하겠다고 선언하며 미국과 유럽에 반도체 공장을 설립하는 데 약 1000억 달러 규모의 투자를 집행하겠다고 밝힌 바 했다.
전혜인기자 hye@dt.co.kr
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