DB하이텍, RF 공정사업 확대 나섰다
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DB하이텍이 130nm(나노미터)·110nm(나노미터) 기술을 기반으로 RF 실리콘온인슐레이터(SOI)와 RF 고저항기판(HRS) 공정을 확보하며, RF프론트엔드 사업 확대를 본격화하기 시작했다고 12일 밝혔다.
RF프론트엔드는 무선 통신에 필수적인 제품으로 정보기술(IT) 기기간 송신·수신을 담당한다.
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DB하이텍이 130nm(나노미터)·110nm(나노미터) 기술을 기반으로 RF 실리콘온인슐레이터(SOI)와 RF 고저항기판(HRS) 공정을 확보하며, RF프론트엔드 사업 확대를 본격화하기 시작했다고 12일 밝혔다.
RF프론트엔드는 무선 통신에 필수적인 제품으로 정보기술(IT) 기기간 송신·수신을 담당한다. 스마트폰, 사물인터넷(IoT) 등 통신이 필요한 분야에서 다양하게 활용된다.
보통 안테나 튜너, 스위치, 저잡음증폭기(LNA), 전력증폭기(PA) 등 각각의 부품이 한데 모인 모듈 형태로 구성돼 있다.
무선 통신 기술이 5G로 발전하면서 고주파·고감도의 특성을 가진 고성능 통신에 대한 수요가 지속적으로 확대되는 가운데 RF 프론트엔드의 중요성도 점점 더 커지고 있다.
RF프론트엔드 내 여러 부품 중에서 DB하이텍이 목표로 하고 있는 제품은 스위치와 LNA이다. 스위치는 주파수를 송수신할 때 켜거나 끄는(On·Off) 하는 역할을 하고 LNA는 주파수를 증폭시켜 보다 정확한 신호를 전달하는 것으로 5G 등 고속통신에 가장 핵심적인 제품이다.
DB하이텍은 기존 RF 공정에 누설전류를 차단하거나 최소화하는 SOI와 HRS 웨이퍼를 더해 그 성능을 대폭 개선했다. 김지헌 기자
raw@heraldcorp.com
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