ETRI·에이오이티, 차세대 질화갈륨 소재 개발 업무협력

27일 대전 전자통신연구원(ETRI) 본사에서 열린 에이오이티와 ETRI 간 질화갈륨(GaN) 기술 개발 업무협력 의향서 체결식에서 양측 관계자들이 기념사진을 찍고 있다. <에이오이티 제공>

전자통신연구원(ETRI)과 에이오이티는 27일 대전 ETRI 본사에서 차세대 화합물 반도체 핵심인 질화갈륨(GaN) 기술 개발 관련 정보공유·협력체계 구축 등에 대한 업무협력 의향서를 체결했다고 밝혔다.

GaN 소자는 실리콘 반도체 소자에 비해 고속력, 고내구성, 광범위 광출력성, 작동 온도의 한계 극복 등에서 성능이 우수하다. 특히 유력한 차세대반도체 물질(GaN, SiC, AlN 등) 중 하나로 꼽힌다.

우리나라에서는 미니 LED(발광다이오드) 디스플레이와 일부 저전력 충전, 통신용 분야 등에 쓰이고 있는데, 자율주행차와 로봇 시대에 진입하면서 활용도가 급격히 늘고 있다.

오상묵 에이오이티 대표는 "이번 업무협약은 GaN 전력소자(400V, 600V, 1200V), GaN RF소자(5세대, 6세대 용)를 공동 개발하는데 목적이 있다"며 "프로젝트 성공 시 기대되는 효과는 전 세계 최초로 200㎜ 실리콘 웨이퍼의 양산라인에서 전 자동화가 가능하고, 원가를 기존보다 10분의 1 이하로 절감할 수 있을 것"이라고 밝혔다. 박정일기자 comja77@dt.co.kr