에이오이티, ETRI와 GaN 반도체 개발 협력한다

에이오이티는(AOET)와 한국전자통신연구원(ETRI)는 27일 ETRI 사무소에서 질화갈륨(GaN) 반도체 개발을 위한 업무 협력 양해각서를 교환했다.

에이오이티(AOET)가 한국전자통신연구원(ETRI)과 협력, 질화갈륨(GaN) 반도체 기술 개발에 나선다.

에이오이티는 ETRI와 GaN 기술 개발 관련 연구 정보 공유와 인력 교류, 공동 세미나 개최 등 업무 협력을 추진한다고 27일 밝혔다.

GaN은 실리콘(Si) 반도체 대비 높은 내구성과 내열성으로 전력 반도체와 차세대 광통신, 자율주행차량 등 다양한 분야에서 주목받는 반도체 소재다. 에이오이티는 GaN 소자 제조 공정 단계를 줄이고 제조 원가를 절감할 수 있는 기술을 보유하고 있다.

에이오이티는 ETRI와 협력으로 400~1200V급 GaN 전력 반도체와 GaN 무선통신(RF) 반도체를 개발할 계획이다. 오상묵 에이오이티 대표는 “개발 프로젝트가 성공하면 제조 장치 투자 비용을 줄이고 실리콘 반도체 생산 원가 대비 10분의 1 수준으로 GaN 반도체를 만들 수 있을 것”이라면서 “향후 마이크로 LED 디스플레이에 적용하거나 한개 기판 위에 다양한 RGB 발광소자를 형성하는 등 활용 범위를 확대할 수 있다”고 기대했다.

권동준기자 djkwon@etnews.com