영화 163편을 1초만에 '뚝딱'..SK하이닉스, HBM시장 리더십 잡다(종합)

15개월 만에 4세대 HBM3 출시
3세대 비해 속도 약 78% 빨라져
현존 D램 최고 속도·최대 용량
고성능데이터센터·머신러닝 활용

SK하이닉스가 업계 최초로 개발한 HBM3 D램. 사진=SK하이닉스

[이데일리 이준기 신중섭 기자] SK하이닉스(000660)가 현존 최고 사양 D램인 ‘HBM(High Bandwidth Memory)3’를 업계 최초로 개발했다고 20일 밝혔다. 초당 819GB(기가바이트)의 데이터를 처리할 수 있는 수준으로, SK하이닉스로선 지난해 7월 업계 최초로 3세대인 HBM2E D램을 양산한 데 이어 단 1년 3개월 만에 HBM3을 내놓으며 시장 주도권을 확고히 하는 모습이다.

SK하이닉스 측은 20일 “이번 HBM3를 통해 지금까지 나온 HBM D램 중 최고 속도, 최대 용량을 구현한 것은 물론, 품질 수준도 크게 높였다”며 이렇게 밝혔다. HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치·고성능 제품이다. 2013년 처음으로 HBM을 선보인 이후 2세대 HBM2를 거쳐 지난해 7월에는 3세대 제품인 HBM2E를 양산했었다. 그리고 단 1년3개월 만에 새로운 제품인 HBM3까지 공개하며 HBM 시장을 선도하고 있는 것이다. SK하이닉스의 HBM에 공을 들이고 있는 건 HBM 시장 수요가 꾸준히 늘어날 것으로 기대하고 있기 때문이다. 올해 반기보고서에서 SK하이닉스는 “고성능 컴퓨팅 시스템 가속화를 위해 GDDR6/HBM2E 제품이 탑재된 고사양 제품 수요는 지속 증대될 것으로 전망된다”고 언급한 바 있다.

초당 819GB의 데이터를 처리할 수 있다는 건 5GB짜리 풀HD(FHD) 급 영화 163편 분량의 데이터를 단 1초 만에 처리할 수 있다는 얘기와 같다. 3세대 제품인 HBM2E와 비교하면 속도가 약 78% 빨라졌다는 게 SK하이닉스 측의 설명이다. 또 이 제품에는 오류정정코드(On Die-Error Correction Code)도 내장돼 있는데, 이를 통해 D램 셀(Cell)에 전달된 데이터의 오류를 스스로 보정할 수 있어 제품의 신뢰성도 크게 높아졌다는 평가다.

이번 HBM3는 16GB와 24GB 두 가지 용량으로 출시될 계획이다. 24GB는 업계 최대 수준의 용량이다. 이를 구현하기 위해 SK하이닉스 기술진은 TSV 기술을 활용했다. TSV는 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다. 즉, 단품 D램 칩을 A4 용지 한 장 두께의 3분의 1인 약 30마이크로미터(μm, 10-6m) 높이로 갈아낸 후 칩 12개에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 각각의 칩 구멍을 수직으로 연결해냈다.

업계에선 HBM3가 고성능 데이터센터를 비롯해 인공지능(AI)의 완성도를 높이는 머신러닝과 기후변화 해석·신약개발 등에 사용되는 슈퍼컴퓨터에도 적용될 것으로 전망하고 있다. 차선용 SK하이닉스 부사장(D램개발담당)은 “세계 최초로 HBM D램을 출시한 당사는 HBM2E 시장을 선도한 데 이어 업계 최초로 HBM3 개발에 성공했다”며 “앞으로도 프리미엄 메모리 시장의 리더십을 공고히 하는 한편, ESG 경영에 부합하는 제품을 공급하여 고객 가치를 높이기 위해 최선을 다하겠다”고 말했다.

SK하이닉스가 업계 최초로 개발한 HBM3 D램. 사진=SK하이닉스

이준기 (jeke1@edaily.co.kr)