[글로벌테크코리아 2021]김진국 SK하이닉스 CTO "메모리 융합이 새 ICT 시대 열것"

산업통상자원부가 주최하고 한국산업기술진흥원과 전자신문이 주관하는 글로벌테크코리아 2021이 테크와 함께 미래를 만나다를 주제로 서울 강남구 코엑스에서 온라인 생중계로 열렸다. 김진국 SK하이닉스 부사장이 미래 ICT 세상을 위한 메모리 기술 변화와 협력을 주제로 기조연설을 하고 있다. 이동근기자 foto@etnews.com

“메모리반도체 업계는 로직과 메모리를 하나의 칩에 구현하는 기술(CIM) 개발이 필요합니다. 연산과 저장 기능이 분리된 컴퓨팅 구조에 한계가 있어 융합 기술 개발이 도전 과제가 될 것입니다.”

SK하이닉스 김진국 부사장은 메모리 반도체 업계의 나아갈 방향을 이같이 제시하며 200단 이상 낸드 개발 로드맵도 언급했다.

김진국 SK하이닉스 최고기술책임자(CTO) 부사장은 '글로벌 테크 코리아 2021'에서 SK하이닉스의 차세대 메모리 기술과 기술 협력 방향을 소개했다.

김 부사장은 메모리 반도체 산업이 '3S'라는 도전 과제에 직면했다고 진단했다. 3S는 △스케일링(Scaling, 미세공정) △소셜(Social) △스마트(Smart)를 의미한다.

스케일링은 반도체의 저전력 및 고성능화를 중심으로 이어온 업계의 전통적 과제다. 반도체 업계는 미세 공정으로 메모리 반도체 크기를 줄이고 성능 개선을 도모하고 있다. SK하이닉스도 176단 4차원(4D) 낸드 개발 이후 스케일링에 집중하고 있다.

김 부사장은 “현재 200단과 300단 수준 낸드 기술력을 준비하는 상황”이라며 “4D 플랫폼을 기반으로 향후 1000단을 구현하는 기술 로드맵을 구현할 것”이라고 밝혔다.

그러나 스케일링에만 초점을 맞춰서는 새로운 ICT 시대에 대응하기 어렵다는 것이 김 부사장 생각이다.

그는 “기술 격차와 에너지·환경 문제, 디지털 트랜스포메이션(DX)이라는 새로운 가치를 실현할 기술과 전략이 필요하다”면서 그 방법론으로 메모리 융합 기술을 제시했다.

메모리 융합은 기존 중앙처리장치(CPU)와 메모리가 분리됐던 컴퓨팅 구조에서 벗어나 핵심 로직 기능이 메모리 안에 녹아드는 것을 의미한다.

고대역폭메모리(HBM)를 시작으로, 하나의 모듈에 CPU와 메모리를 함께 탑재해 속도를 높인 'PNM(Process Near Memory)', 패키지 안에 CPU와 메모리를 모두 적용한 'PIM(Process In Memory)' 등이 대표적이다.

김 부사장은 “나아가 로직과 메모리를 하나의 웨이퍼 안에, 하나의 칩으로 만드는 'CIM(Computing In Memory)'를 가까운 장래에 구현할 것”이라며 “이는 컴퓨팅과 시스템 성능을 비약적으로 발전시켜 '비욘드 메모리' 시대를 열게 해줄 것”이라고 밝혔다.

김 부사장은 이러한 메모리 융합으로 반도체 성능 향상뿐 아니라 저전력화도 가속할 수 있다고 강조했다.

김 부사장은 “메모리 기업은 에너지와 환경 이슈를 생각해야 한다”면서 융합 메모리로의 구조 변화는 에너지 사용량을 줄여 환경 문제를 해결할 수 있을 것으로 내다봤다. 또 융합 메모리를 통한 시스템 최적화로 현재 DX 시대를 이끌 원동력을 확보할 수 있다고 덧붙였다.

김 부사장은 “향후 10년 동안은 메모리 융합 시대가 이뤄질 것”이라며 “포스트 폰 노이만 시대를 넘어 궁극적인 통합의 시대인 뉴로모픽 시대를 대비할 수 있다”고 밝혔다.

그는 반도체 산업의 협력 패러다임 전환 필요성도 강조했다. 김 부사장은 “현재 반도체 산업은 기술 발전이 점점 어려워지고 있다”며 “산업 구성원 간 협력 패러다임을 기존 수직적 구조에서 수평적으로 전환해야 스케일링, 소셜, 스마트라는 '3S' 가치를 실현할 수 있을 것”이라고 말했다.

권동준기자 djkwon@etnews.com