삼성전자 "하반기에도 반도체 성장 지속..기술경쟁력 자신"

삼성전자 평택 2라인 . <삼성전자 제공>

올해 2분기 메모리반도체 시장 호조로 12조원이 넘는 실적을 기록한 삼성전자가 하반기에도 D램과 낸드플래시 등 메모리반도체가 공고한 성장을 지속할 것으로 내다봤다.

삼성전자는 29일 2분기 실적발표와 함께 컨퍼런스콜을 진행하고 "올해 시장의 예상 연간 D램 빗그로스(비트 단위 환산 D램 생산 증가율)은 20% 중반대로, 당사도 시장 전망과 비슷한 수준을 기록할 것"이라며 이같이 말했다.

이어 "낸드플래시는 연간 수요 빗그로스 40%까지 올라갈 것"이라며 "회사 역시 시장 예상과 비슷한 수준을 보일 것"이라고 덧붙였다.

삼성전자는 하반기 메모리 시장에서 일부 부품의 공급난이 지속되는 등 불안 요인은 지속되고 있으나 시장 수요의 펀더멘탈은 견조할 것으로 전망했다.

특히 모바일은 5G 시장 확대에 따른 메모리 고용량화와 함께 주요 제조사들의 신제품 출시가 이어지며 수요가 견조할 것으로 예상된다. 또 서버 역시 백신 보급 확대 및 경기부양책의 영향으로 기업들의 투자 심리가 회복되고, 신규 CPU 채용이 확대되면서 고용량화도 지속될 것으로 보인다.

이와 관련 삼성전자는 " 2분기와 마찬가지로 하반기에도 신규 CPU 확대에 따른 서버 확대의 영향으로 서버 수요가 견조하게 유지될 것"이라며 "서버 세트수는 전년 동기 대비 한 자리수 후반 성장이 예상된다"고 설명했다.

이에 따라 삼성전자는 D램과 낸드에서 다양한 연구개발을 통해 기술력 격차를 지속적으로 벌려나간다는 방침이다. 삼성전자는 이번 하반기 14나노 D램과 더블스택 176단 7세대 낸드를 양산할 계획이다.

특히 최근 D램 제조사들에서 도입 경쟁이 일어나고 있는 초미세공정 노광장비(EUV)와 관련해 기술 격차를 자신했다. 삼성전자는 "EUV는 설비를 구매해 생산라인에 적용하는 것뿐 아니라 관련 노하우를 축적해 기술 측면에서의 시너지를 극대화하는 것이 중요하다"며 "하반기 양산하는 14나노 D램에서 5개 레이어에 EUV를 확대 적용해 이 부분에서 원가 및 기술경쟁력을 확보했다"고 강조했다.

아울러 낸드에 대해서도 "당사의 가장 큰 고민 포인트는 단수가 아니라 효율성과 원가 측면에서 최적의 경쟁력을 갖출 수 있는 시점과 방법을 고민하고 있다"고 덧붙였다.전혜인기자 hye@dt.co.kr