삼성전자, D램·낸드 경쟁사 추격 우려에 "초격차 유지할것"

삼성전자가 29일 올해 2분기 실적발표 후 열린 컨퍼런스 콜(전화회의)에서 메모리반도체 분야의 경쟁업체 추격이 우려된다는 질문을 받고 "D램과 낸드 부문에서 지속가능한 기술력 확보 차원의 다양한 연구개발을 지속하고 있다"면서 "원가경쟁력과 성능 등 모든 면에서 경쟁력을 지속 확보할 것"이라 밝혔다.

최근 타업체가 176단 낸드를 선보인 것과 관련해선 "삼성전자의 가장 큰 고민포인트는 단수 그 자체가 아니다"고 말했다. 이어 "당사는 싱글스택으로 128단을 쌓으며 업계 최고의 에칭기술 경쟁력을 확보했고 이러한 스택을 얼마나 효율적으로 쌓아올릴지에 대한 시점과 방법에 대해 고민하고 있다"고 설명했다.

D램과 관련해선 "원가 경쟁력 우려는 D램 세대가 거듭되면서 난이도가 높아지고 있는 것이 사실"이라며 "당사는 원가 경쟁력을 확보하기위해 여러 노력을 하고 있다"고 말했다. 예시로 14나노 기반 DDR5 제품을 들며, EUV(극자외선)를 적용해 전체 공정이 줄이면서 원가 절감효과를 얻고 있다고 강조했다.

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오문영 기자 omy0722@mt.co.kr

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