'美 20조 반도체 투자' 발표 한 달..침묵 길어지는 삼성 [TNA]

지난달 21일 한·미 정상회담 발표 이후 침묵 이어져
텍사스·애리조나·뉴욕주, 막판 인센티브 경쟁 치열
"총수 부재 상황도 한몫" 지적도

미국 텍사스주에 위치한 삼성전자 오스틴 반도체 공장의 모습. [삼성전자 제공]

[헤럴드경제=양대근 기자] 삼성전자는 지난달 21일(현지시간) 개최된 한·미 정상회담에서 미국 현지 신규 파운드리 공장 건설에 170억 달러(약 20조원)를 투자하겠다고 공식 발표했다. 이후 한달여의 시간이 흘렀지만 공장이 들어설 지역이나 세부적인 공정 등에 대해서는 침묵이 길어지고 있다.

19일 업계와 외신 등에 따르면 삼성전자는 이르면 이번 여름께 반도체 공장 투자 지역을 최종 확정할 것으로 예상된다. 발표가 지연되고 있는 가장 큰 원인으로는 미국 주 정부와 세금 감면·인프라 등 인센티브에 대한 협상이 마무리되지 않은 것이 꼽힌다.

삼성전자 측은 텍사스주를 비롯해 뉴욕과 애리조나주 등 각 주 정부가 제시하는 인센티브 조건들을 면밀히 검토하며 후보지 선택에 고심하고 있는 것으로 전해졌다. 기존 파운드리 공장이 위치돼 있는 텍사스주 오스틴시가 가장 유력한 곳으로 지목되지만 다른 주들 역시 ‘파격적인 조건’을 내세워 치열한 유치전을 이어가고 있다.

특히 텍사스 주의회가 지난달 26일(현지시간)이 ‘챕터 313’ 법안의 연장안 합의를 이뤄내지 못하면서 주요 변수로 떠올랐다. 챕터 313은 텍사스주의 대표적인 친기업·투자 유치 정책이지만 주의회 측의 합의 실패로 특별한 변수가 없는 이상 내년 12월에 효력이 자동 만료될 예정이다.

삼성이 신중한 행보를 보이는 것과 달리 다른 글로벌 반도체 경쟁자들의 발걸음은 더욱 빨라지고 있다.

글로벌 파운드리(반도체 위탁생산) 점유율 1위인 대만 TSMC는 120억 달러(약 13조4000억원)가 투입되는 미국 애리조나 파운드리 공장의 착공을 최근 시작했다. 여기에 초미세공정인 2나노미터(1㎚=10억분의 1m)를 적용한 시범 생산라인을 올해 안에 대만에 구축하겠다고 밝혔다.

반도체 소재·장비 강국인 일본과의 밀월 관계도 강화하고 있다. 니혼게이자이(닛케이) 신문에 따르면 TSMC는 일본 규슈 구마모토현에 신규 반도체 공장을 건설하는 방안을 검토하고 있다. 신설 공장에는 16나노와 28나노 공정이 도입될 것으로 알려졌다. 5나노급 최첨단 공정은 아니지만, 차량용 반도체나 스마트폰 관련 주요 부품 등에 적용된다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 삼성전자의 올해 1분기 파운드리 시장점유율은 18%로 TSMC(56%)에 뒤쳐져 있다.

메모리 반도체 시장에서 삼성전자와 SK하이닉스에 이어 3위를 차지하고 있는 미국 마이크론도 적극적인 투자 의지를 드러냈다. 산제이 메흐로트라 마이크론 최고경영자(CEO)는 “향후 일본에 공장 투자 확대와 장비·재료업체와의 제휴를 통한 일본 정부의 공급망 강화에 협력할 것”이라며 “일본 업체들과 협력해 ‘5세대 D램’ 기술 개발에 나서겠다”는 입장을 내놨다.　

마이크론은 이달 초 세계 최초로 10나노급 4세대 D램 양산을 시작했다고 밝힌 바 있다. 이번 CEO의 발언과 관련 한국의 경쟁자들을 제치겠다는 의지를 내비친 것이란 분석도 나온다.

이재용 삼성전자 부회장이 부재 중인 상황도 삼성의 발표 지연의 주요 원인 중 하나로 지목된다. 이 부회장은 지난 1월 국정농단 재판에서 법정 구속된 뒤 수감생활을 이어가고 있다. 김기남 삼성전자 부회장은 지난 2일 청와대에서 열린 문재인 대통령과의 오찬 간담회에서 “반도체는 대형 투자 결정이 필요한데, 총수가 있어야 의사결정이 신속히 이뤄질 수 있다”고 밝혔다.

이와 관련 닛케이는 “(한·미 정상회담에서) 삼성전자는 착공시기는 물론 건설할 장소도 정해지지 않은 투자 계획을 발표했다”면서 “금액은 크지만 이전부터 검토되고 있던 것으로 새로운 내용은 없었다”고 평가했다.

bigroot@heraldcorp.com