삼성전자, 차세대 8나노 RF 공정 개발

칩 면적 줄고 전력효율 35% 향상
5G 통신 반도체 시장 선점 채비

삼성전자가 소형·저전력·고품질을 갖춘 차세대 8나노미터(㎚) RF(무선주파수) 미세공정 기술 개발에 성공했다.

삼성전자는 최근 8나노 RF 미세공정 기술 개발에 성공하고 멀티채널, 멀티 안테나를 지원하는 5G(5세대 이동통신)용 RF칩 생산 준비에 들어간다고 9일 밝혔다.

이번 8나노 공정은 5G 이동통신의 서브 6㎓(기가헤르츠)부터 밀리미터파(㎜Wave)까지 모두 지원하는 기술이다.

삼성전자는 이번 8나노 RF 공정에서 이전 14나노 공정에 비해 RF칩의 면적을 35%가량 줄이고 전력 효율도 35%가량 높였다.

RF칩은 모뎀칩에서 나오는 디지털신호를 아날로그로 변환해 무선주파수로 바꿔주고, 반대로 모뎀칩으로 전송하기도 하는 무선주파수 송수신 반도체를 말한다.

삼성전자는 이번 8나노 기술을 통해 5G 통신 반도체 시장을 주도해 나간다는 계획이다. 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실 이형진 마스터는 “이번 8나노 기반의 RF 파운드리는 공정 미세화와 함께 소형·저전력·고품질 통신의 장점을 모두 갖췄다”며 “최첨단 RF 파운드리 경쟁력을 바탕으로 5G를 비롯한 차세대 무선통신 시장에 적극 대응해 나갈 것”이라고 말했다.

김건호 기자