삼성전자 경쟁사 맹추격 따돌릴 비장의 무기..평택 3번째 반도체 공장

[MK위클리반도체] 삼성전자의 경기 평택 3캠퍼스(P3) 착공이 임박했다. 삼성전자는 이르면 내년 4월까지 외관 공사를 끝내고 반도체 장비를 반입하는 계획을 검토 중이다. 평택 P3는 2023년 초부터 본격 양산에 돌입할 것으로 기대된다. 우선 확정된 제품은 7세대 적층(V) 낸드플래시와 극자외선(EUV) 노광장비 기반 10나노미터(㎚·1㎚는 10억분의 1m)급 D램이다.

반도체 업계에 따르면 삼성전자는 이 같은 내용의 P3 투자 계획을 유력하게 검토하고 있다. 반도체 업계의 한 관계자는 "이달이나 늦어도 다음달에는 건물 착공이 시작된다"며 "내년 4~5월에는 건물을 모두 올리고 장비를 반입할 것"이라고 전했다. 이 관계자는 또 "최근 삼성전자 내부에서는 건설 공기를 최대한 줄여 시기를 앞당기자는 목소리도 나온다"고 말했다.

삼성전자 평택 캠퍼스의 전경. 왼쪽부터 순서대로 평택 1캠퍼스(P1), 2캠퍼스(P2)가 자리하고 있다. 사진 오른쪽은 3캠퍼스(P3)가 들어설 예정이다. /사진제공=삼성전자

평택 P3는 작년 9월부터 기초 터 닦기와 상부 골조 공사를 하고 있다. 엄밀히 말하면 공사는 이미 시작됐다. 하지만 삼성전자는 기초 공사를 끝낸 뒤 건물을 올리는 시점을 착공으로 규정한다.

평택의 세 번째 반도체 공장인 P3 라인에는 최소 30조원에서 최대 50조원이 투자될 것으로 업계는 기대한다. 명실공히 국내 최대 반도체 생산기지다. P3의 본가동 시기는 2023년 초다. 이와 관련해 내년 하반기부터는 시험 생산도 본격화할 것으로 예상된다.

P3는 10나노 초반급 EUV D램과 176단 이상 7세대 V낸드를 양산하는 첨단 메모리 기지로 우선 계획 중이다. 하지만 대형 거래처 계약이 성사되면 시스템 반도체를 수탁생산(파운드리)하는 라인으로 일부 전환할 가능성도 있다. 삼성전자는 P3 사업을 전담할 프로젝트성 조직인 'P3-1'을 수십 명 규모로 운용하는 것으로 알려졌다. 반도체 업계의 또 다른 관계자는 "P3는 낸드와 D램 생산이 확정됐고 파운드리는 아직 구체적인 생산 계획이 없다"고 설명했다. 대체로 삼성전자의 파운드리 라인 투자는 대형 고객사와 신규 계약을 맺었을 때 진행돼왔다.

평택은 삼성전자 반도체 사업의 핵심 생산기지로 꼽히는 곳이다. 삼성전자는 2012년 평택시 등과 평택 고덕산업단지 투자 계약을 체결했다. 이어 2015년 1캠퍼스(P1) 공사를 시작해 2017년 준공했으며 2018년 P2도 상업 가동을 시작했다.

2015년부터 조성된 평택 캠퍼스는 총 289만㎡(약 87만4000평) 용지를 갖추고 있다. P1은 메모리 반도체 위주 생산라인이지만 P2는 EUV D램과 6세대 V낸드, 5나노급 EUV 기반 초미세 파운드리 제품까지 양산하는 복합 생산라인이다. 특히 P2는 연면적 12만8900㎡, 축구장 16개 크기에 이르는 세계 최대 규모 반도체 공장이다.

P1과 P2는 각각 30조원 이상 대규모 투자가 집행됐다. P2에서 직접 고용하는 인력은 약 4000명이며 협력사 인력과 건설인력을 포함하면 약 3만명 이상의 고용창출이 발생했다.

P2의 파운드리 라인과 낸드 라인은 원래 올해 하반기 본가동할 예정이었다. 하지만 삼성전자는 가동 일정을 최대한 당겨 상반기 중 완전한 양산을 시작하기로 최근 방침을 바꿨다.

평택 P2 라인의 조기 가동은 전 세계적 반도체 공급 대란과 반도체 슈퍼사이클에 대응하기 위한 조치다. 올해 1분기 삼성전자의 미국 텍사스주 오스틴 파운드리 공장이 역대급 한파·폭설로 한 달 반가량 가동을 멈춰서며 전 세계 스마트폰 업체에 비상이 걸렸다. 가뜩이나 모바일 애플리케이션프로세서(AP) 공급 부족에 시달리던 스마트폰 제조사들은 오스틴 공장에서 공급하는 디스플레이 구동 반도체(DDI), 무선주파수집적회로(RFIC)까지 품귀 현상을 겪자 신형 스마트폰 감산을 추진하거나 출시 일정을 미루는 중이다. 삼성전자도 올해 갤럭시 노트 신제품 발표를 건너뛰고 내년에 신형 모델을 내놓기로 했다. 삼성전자는 P2를 조기 가동할 뿐 아니라 구형 반도체 라인까지 풀가동하며 고객사 요구에 대응하기로 했다.

삼성전자가 경기 평택 2캠퍼스(P2)에서 양산하고 있는 10나노미터(nm·1nm는 10억분의1m)급 모바일 D램

삼성전자가 P3 착공을 서두르는 것은 경쟁사들의 맹추격 때문이기도 하다. 미국 마이크론은 지난해 176단 7세대 V낸드를 세계 최초로 양산한다고 발표하며 삼성전자를 긴장시켰다. SK하이닉스 역시 최근 이천 M16 신공장을 준공하고 하반기부터 EUV D램을 쏟아낼 계획이다.

삼성전자는 평택에 장기적으로 공장 3기를 더 지을 계획이다. 2025년까지 공장 세 곳을 더 착공한다는 목표다. 추가 공장을 모두 짓는 데 투입될 자금은 총 100조원 이상으로 추정된다. 이와 관련해 삼성전자는 지난해 평택시에 P4~6 공장 건설에 대비해 공업용수를 추가로 확보해달라고 요청한 상태다. 반도체 업계는 P4~6라인이 첨단 메모리뿐 아니라 3나노급 이하 초미세 파운드리 제품까지 양산하는 거점이 될 것으로 본다.

이재용 삼성전자 부회장(오른쪽 세번째), 김기남 삼성전자 디바이스솔루션(DS) 부문장(부회장) 등이 삼성전자 반도체 사장단, 협력사 대표들과 함께 지난 1월 4일 경기 평택 사업장에서 반도체 설비 반입식을 진행하고 있다. /사진제공=삼성전자

이재용 삼성전자 부회장은 평택을 글로벌 반도체 클러스터로 집중 육성해왔다. 그는 아버지 고(故) 이건희 삼성 회장이 병석에 든 2014년부터 평택 반도체 단지를 직접 챙겼다.

이 부회장은 올해 첫 외부 일정으로 지난 1월 4일 평택 기지를 찾았다. 그는 이날 P2 라인의 파운드리 장비 반입식을 주관하면서 반도체 사장단, 협력사 대표들과 중장기 전략을 논의했다. 이어 P3 건설 현장도 둘러봤다.

삼성전자는 현재까지 별도의 P3 착공 행사를 계획하고 있지는 않은 것으로 알려졌다. 삼성전자는 당초 P3 착공 행사를 준비하고 대규모 투자 계획도 발표할 예정이었지만 이 부회장이 지난 1월 18일 국정농단 재판 파기 환송심에서 실형이 확정되며 계획이 무산됐다.

[이종혁 기자]