DB하이텍, 글로벌 셔터∙SPAD 공정 개발.."특화 이미지센서 사업 확대"
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DB하이텍은 16일 110㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) 플랫폼을 기반으로 한 글로벌 셔터와 SPAD(single-photon avalanche diode) 공정의 개발을 완료, 특화 이미지센서 사업을 확대한다고 밝혔다.
DB하이텍의 글로벌 셔터는 110㎚ 후면조사(BSI·Backside Illumination) 공정에 라이트 실드(Light shield)와 라이드 가이드(Light guide) 기술이 적용됐고, GSE(글로벌셔터 효율성)는 99.99%에 달한다.
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DB하이텍은 16일 110㎚(나노미터·1㎚는 10억분의 1m) 플랫폼을 기반으로 한 글로벌 셔터와 SPAD(single-photon avalanche diode) 공정의 개발을 완료, 특화 이미지센서 사업을 확대한다고 밝혔다.
글로벌 셔터는 전자식 셔터의 한 종류로, 이미지 센서에 들어오는 모든 빛을 한 번에 읽어들이는 방식이다. 덕분에 빠르게 움직이는 물체를 촬영하는데 적합한 기술로 여겨지고 있다. 최근 산업용 머신비전에 활발히 적용되고 있으며, 자동차, 드론, 검사용 카메라에서도 활용도가 높아지고 있다.
DB하이텍의 글로벌 셔터는 110㎚ 후면조사(BSI·Backside Illumination) 공정에 라이트 실드(Light shield)와 라이드 가이드(Light guide) 기술이 적용됐고, GSE(글로벌셔터 효율성)는 99.99%에 달한다. 최소 2.8μm(마이크로미터)까지의 다양한 픽셀 크기로 기술력을 갖췄다는 게 회사 설명이다.
SPAD는 단일광자 수준의 미약한 빛 신호를 감지하는 센싱 기술로, 대상물까지의 거리를 특정하는 역할을 한다. 장거리∙고정밀도 특성을 기반으로 자동차용 라이다(LiDAR)나 비행시간 거리측정(ToF) 등에 적용된다. 또 스마트폰, 증강현실∙가상현실(AR∙VR), 폐쇄회로(CC)TV, 산업용 머신비전 등에 사용된다.
DB하이텍은 110㎚ 전면조사(FSI) 공정을 바탕으로 3.8% @905㎚ 광자 검출 확률(Photon-detection probability) 성능을 확보했고, 연내 BSI 공정으로 PDP 7%@905㎚까지 개발을 완료한다는 계획이다.
DB하이텍 관계자는 "팹리스 고객들이 특화 이미지센서 시장에 적기에 진입하고 제품 경쟁력을 갖출 수 있도록 오는 9월 글로벌 셔터와 SPAD를 위한 멀티프로젝트웨이퍼(MPW·웨이퍼 한장에 여러 고객사의 반도체 시제품을 생산하는 것)를 운영하는 등 다양한 고객지원 프로그램을 이어갈 예정이다"라고 했다.
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