[과기원은 지금] UNIST, 초미세 반도체 소자 제조 공정 개발

이현경 기자 2021. 4. 16. 09:10
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■ 울산과학기술원(UNIST)은 물리학과 김대식 특훈교수가 이끄는 연구팀이 회로 간격을 0nm(나노미터·1nm는 10억 분의 1m) 수준까지 쉽게 조정할 수 있는 반도체 소자 제조 공정을 개발했다고 15일 밝혔다.

연구진은 틈 구조를 이용해 열고 닫을 수 있는 '제로 갭 구조'를 고안해 틈이 열려있을 때와 닫혀있을 때 단락(on-off)이 생기게 만들어 전기회로로 활용했다.

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‘제로 갭 구조’를 고안해 초미세 반도체 소자 제조 공정을 개발한 울산과학기술원(UNIST) 연구진. 왼쪽부터 차례대로 바다데브 다스 연구원, 윤형석 연구원, 김대식 교수다. UNIST 제공

■ 울산과학기술원(UNIST)은 물리학과 김대식 특훈교수가 이끄는 연구팀이 회로 간격을 0nm(나노미터·1nm는 10억 분의 1m) 수준까지 쉽게 조정할 수 있는 반도체 소자 제조 공정을 개발했다고 15일 밝혔다. 연구진은 틈 구조를 이용해 열고 닫을 수 있는 ‘제로 갭 구조’를 고안해 틈이 열려있을 때와 닫혀있을 때 단락(on-off)이 생기게 만들어 전기회로로 활용했다. 금속 대신 쉽게 제거 가능한 고분자 물징 등으로 초미세 틈 구조를 만들오 이 틈 사이에 반도체 물질을 증착하면 1nm 미만의 폭을 가진 반도체 소자를 만들 수 있다. 김 교수는 “복잡한 나노 공정이 필요하지 않기 때문에 실제 소자로 즉각 활용하기에도 수월하다”고 말했다. 연구결과는 국제학술지 ‘어드밴스드 옵티컬 머티리얼스’ 지난달 24일자에 실렸다. 

[이현경 기자 uneasy75@donga.com]

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