삼성전자-코로나 위기 속 끊임없는 기술 혁신..반도체·AI·5G 등 경쟁력 강화

[경향신문]

평택캠퍼스 전경

삼성전자는 코로나19로 불확실한 경영환경에도 불구하고 연구·개발(R&D)과 시설 투자를 지속적으로 집행하며 미래기술 혁신을 위한 끊임없는 도전을 계속하고 있다.

■반도체 초격차를 위해 끊임없이 투자 집행하는 삼성

삼성전자는 지난해 3분기에 누적 역대 최대인 15조9000억원의 R&D 투자를 집행했고 국내 특허 4974건, 미국 특허 6321건 등을 취득했다. 지난해 시설투자비는 2019년 대비 43% 증가한 38조5000억원이다. 삼성전자는 메모리 첨단 공정 전환과 반도체·디스플레이 증설 투자 등 주력 사업 경쟁력 강화를 위해 지속 투자하고 있다.

불확실성이 고조되며 전 세계 산업계의 투자 심리가 냉각되고 있지만, 이재용 삼성전자 부회장은 지난해 말 “어려운 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안 된다”며 위기를 기회로 바꾸기 위한 투자를 강조했다.

삼성전자는 지난해 8월 세계 최대 규모의 반도체 공장인 평택 2라인 가동에 들어갔다. 이 라인에서는 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 첨단 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램이 생산되고 있다. 삼성전자는 D램 양산을 시작으로 평택캠퍼스에 적극적으로 투자해 반도체 초격차를 달성하고 미래 반도체 시장 기회를 선점해 나갈 계획이다.

한편 삼성전자는 지난해 10월 열린 ‘세이프(SAFE·Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼’에서 2022년까지 3나노 첨단공정 반도체를 대규모 양산하겠다고 밝혔다.

■반도체·AI·5G 등 미래 기술 준비 위해 협업 강화

삼성전자화성사업장 반도체 라인의 엔지니어들이 작업장으로 들어서고 있다.

삼성은 2018년 8월 4차 산업혁명의 중심이 될 AI, 5G, 전장용 반도체 등을 미래 성장사업으로 선정하고, 약 25조원을 투자해 육성하겠다고 밝힌 바 있다.

또 삼성전자는 2019년 4월에 2030년까지 메모리 반도체뿐만 아니라 시스템 반도체 분야에서도 글로벌 1위를 달성하겠다는 ‘반도체 비전 2030’을 발표하며 시스템 반도체 분야 R&D 및 생산시설 확충에 133조원을 투자하겠다고 설명했다.

이 부회장은 지난해 10월 네덜란드를 방문해 EUV 노광장비를 사실상 독점 공급하는 기업인 ASML 본사를 찾아 차세대 반도체 기술 개발을 위한 협력 강화 방안을 논의하기도 했다.

삼성전자와 ASML은 EUV 관련 기술적 난제 해결을 위해 초기부터 EUV에 최적화된 첨단 반도체 소재 개발 등 다양한 분야에서 협력을 이어오고 있다.

삼성전자는 EUV 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응해 화성캠퍼스에 EUV 전용인 V1 라인을 가동하고, 평택캠퍼스에 파운드리 생산시설 투자를 결정하는 등 경쟁력을 강화하고 있다.

또 삼성전자는 매년 삼성 AI 포럼을 개최해 세계적인 석학들과 협력해 AI 최신 연구 동향을 공유하고 AI 기술이 삶에 도움을 줄 수 있는 방안을 모색하고 있다.

삼성전자는 AI 연구 강화를 위해 한국을 포함해 영국, 캐나다, 미국 등 세계 각국에 AI연구센터를 설립해 운영 중이며, 지난해 6월 AI 연구를 개척한 세계적 석학 승현준 교수를 삼성전자 선행 연구조직인 삼성리서치 소장에 내정하는 등 AI 핵심 인재 확보에 적극 나서고 있다.

5G 분야에서 삼성전자는 2019년 4월 대한민국의 세계 최초 5G 상용화에 이어 미국, 캐나다, 일본, 호주, 뉴질랜드 등 주요 국가 통신사들에 5G 상용화 장비를 앞장서 공급하고 있다.

또 삼성전자는 지난해 미국 1위 통신사업자 버라이즌과 역대 최대 규모인 7조9000억원(66억4000만달러)의 네트워크 장비 장기 공급 계약을 맺으면서 5G 리더십을 확인했다.

■이재용 부회장, 새해 맞아 AI, 6G 통신 기술 등 미래기술 점검

삼성전자 화성사업장 반도체 클린룸 내부

이재용 삼성전자 부회장은 지난해 12월 초 서울 우면동 삼성리서치에서 세트 부문 사장단 회의를 주재하고, 차세대 6G 통신 기술과 AI 연구·개발 현황 등 미래 중장기 전략을 점검했다.

이 부회장은 이날 회의에서 △차세대 통신 기술 연구 경과 △서버용 기술 확보 △AI 기술 제품 적용 현황 등을 보고받았다. 이 자리에는 김현석 CE부문장, 고동진 IM부문장, 최윤호 경영지원실장, 세바스찬 승 삼성리서치 연구소장 및 각 사업부 담당 사장들이 참석했다.

이재용 부회장이 새해 첫 행보로 시스템 반도체 사업을 점검한 데 이어 삼성리서치에서 선행기술 개발 회의를 주재한 것은 포스트 코로나 시대의 미래성장 동력을 확보하기 위한 것이다.

이 부회장은 최근 신사업을 발굴해 사업을 확장하고 회사를 성장시키는 것은 당연한 책무라며, 사명감을 갖고 회사와 산업 생태계를 키워가겠다는 뜻을 밝혔다. 이 부회장은 2018년 AI, 5G, 전장용 반도체 등 4차 산업혁명 구현에 필수적인 핵심 기술을 삼성의 미래육성사업으로 선정하고 신사업 육성에 박차를 가하고 있다.

■차세대 스마트폰 시장 선점할 최첨단 EUV D램 본격 양산

평택 2라인에서 이번에 출하된 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 메모리 양산제품으로는 처음 EUV 공정이 적용되었으며 역대 최대 용량과 최고 속도를 동시에 구현한 업계 최초의 3세대 10나노(1z) LPDDR5 제품이다.

삼성전자는 올해 2월 2세대 10나노(1y)급 공정으로 역대 최대 용량의 16GB(기가바이트) LPDDR5 D램을 양산한 지 6개월 만에 차세대 1z 공정까지 프리미엄 모바일 D램 라인업을 강화했다.

이번 제품은 기존 플래그십 스마트폰용 12Gb 모바일 D램(LPDDR5, 5500Mb/s)보다 16% 빠른 6400Mb/s의 동작 속도를 구현했다.

16GB 제품 기준으로 초당 풀HD급 영화(5GB) 약 10편에 해당하는 51.2GB를 처리할 수 있다.

또 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 칩 8개만으로 16GB 제품을 구성할 수 있어 기존 제품(12Gb 칩 8개+8Gb 칩 4개) 대비 30% 더 얇은 패키지를 만들 수 있다. 이를 통해 멀티카메라, 5G 등 부품 수가 많은 스마트폰과 폴더블폰같이 두께가 중요한 제품에 최적의 솔루션을 제공할 수 있다.

삼성전자는 글로벌 스마트폰 업체들에 차세대 1z 16GB 모바일 D램을 업계 유일하게 제공함으로써 내년 출시되는 AI 기능이 더욱 강화된 5G 플래그십 스마트폰 시장을 선점할 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 “이번 1z나노 16Gb LPDDR5는 역대 최고 개발 난도를 극복하고 미세공정 한계 돌파를 위한 새로운 패러다임을 제시한 제품”이라면서 “프리미엄 D램 라인업을 지속 확대해 고객 요구에 더욱 빠르게 대응하고 메모리 시장 확대에 기여해 나갈 것”이라고 말했다.