파워마스터반도체, 국내 최초 1200V SiC 쇼트키 다이오드 출시

파워마스터반도체가 새로운 실리콘카바이드(SiC) 전력 반도체를 생산한다. 실리콘 기반 칩과 SiC 반도체를 동시에 생산하는 종합 전력반도체 회사로 거듭난다는 포부다.

파워마스터반도체의 SiC 다이오드 1200 20A 제품. <사진=파워마스터반도체>

22일 파워마스터반도체는 PiN 다이오드 내장(MPS) 기반의 1200V SiC 쇼트키 다이오드 'e-SiC'를 출시했다고 밝혔다.

이 제품은 국내 반도체 업계에서 처음으로 생산됐다. 경쟁사보다 순방향 전압을 낮게 만들어 높은 전력 효율을 제공하는 것이 특징이다.

역회복전하가 없는 빠른 고속 스위칭으로 수동 소자 크기를 줄일 수 있어, 기기 소형화까지 도모할 수 있다. 글로벌 SiC 반도체 기업과 동일하게 MPS 구조를 적용해 성능을 극대화했다.

파워마스터반도체는 산업 및 상업용 시장진입을 목표로 20암페어(A) 제품부터 출시한다.

향후 5A부터 40A까지 다양한 제품 라인업을 갖추면서, 표면실장형과 스루홀 방식 패키지 타입의 칩을 만들 예정이다.

이번 신제품으로 자동차 시장 진출에도 박차를 가한다. 회사는 자동차 신뢰성 규격 'AEC-Q101' 인증을 올 상반기 중에 완료할 방침이다.

파워마스터반도체 충북 오창 생산라인.

SiC 관련 모든 제품은 충북 오창의 1만9834㎡ 규모 SiC 6인치 전용라인에서 양산된다.

김태훈 파워마스터반도체 대표는 이번 제품이 글로벌 반도체 업체가 생산하는 SiC 전력 반도체 수준에 도달했다고 설명했다. 그는 “각종 혹독한 환경에서 테스트를 거치며 최소 누설전류 및 최적의 견고함을 달성했다”며 “이번 제품으로 제품 신뢰성을 강화하고 고온동작에서의 안정성도 확보했다”고 전했다.

파워마스터반도체는 국내에서 유일하게 실리콘(Si) 기반 반도체와 SiC 반도체를 동시 생산할 수 있는 업체다.

지난해 5월 단위면적당 저항을 최소화한 실리콘 기반 수퍼정션 모스펫(MOSFET)을 상용화한 바 있다. 또 올 상반기에는 650V SiC 다이오드 기술 개발을 완료하고, 하반기 1200V SiC 모스펫 기술까지 개발해 고객사가 원하는 다양한 제품을 확보한다는 전략이다.

강해령기자 kang@etnews.com