"글로벌 K-팹리스 육성"..시스템반도체 R&D에 2400억 투입

권혁준 기자 2021. 2. 1. 13:00
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정부가 올해 시스템반도체 유망 분야의 집중 육성을 위해 총 2400억원의 예산을 투입한다.

정부는 1일 정부서울청사에서 개최한 제3차 혁신성장 BIG3 추진회의에서 글로벌 K-팹리스 육성을 위한 '시스템반도체 기술혁신 지원 방안'을 발표하고 해당 분야 연구개발(R&D)에 올해 2400억원을 지원한다고 밝혔다.

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제3차 혁신성장 빅3 추진회의..챌린지형 R&D 신설
전력반도체·차세대 센서·AI 반도체 등 유망품목 지원
성윤모 산업통상자원부 장관(오른쪽)과 최기영 과학기술정보통신부 장관. /뉴스1 © News1 안은나 기자

(세종=뉴스1) 권혁준 기자 = 정부가 올해 시스템반도체 유망 분야의 집중 육성을 위해 총 2400억원의 예산을 투입한다.

정부는 1일 정부서울청사에서 개최한 제3차 혁신성장 BIG3 추진회의에서 글로벌 K-팹리스 육성을 위한 '시스템반도체 기술혁신 지원 방안'을 발표하고 해당 분야 연구개발(R&D)에 올해 2400억원을 지원한다고 밝혔다.

정부는 올해 R&D 방향을 Δ팹리스 성장 지원 Δ유망시장 선점 Δ신시장 도전 등으로 정하고, 시스템반도체 핵심 유망품목에 대한 기술 경쟁력 확보를 집중 추진하기로 했다.

우선 매출 1000억원 이상의 글로벌 K-팹리스 육성을 위한 챌린지형 R&D를 신설한다.

이번에 신설되는 챌린지형 R&D는 성장 가능성이 높은 팹리스를 대상으로 자유공모를 통해 경쟁력 있는 전략제품 개발을 지원하는 것으로, 올해는 총 4개 기업을 선정한다.

이와 함께 국내 시스템반도체 산업 생태계 조성을 위해 수요기업과 팹리스가 연계한 공동 R&D 과제를 지속적으로 발굴하고, 국내 중소 팹리스의 창업과 성장을 위해 Δ창업기업 지원 Δ혁신기술 개발 Δ상용화 기술개발 등 다양한 R&D 지원을 추진한다.

또한 차세대 전력 반도체와 차세대 센서 분야의 R&D를 강화한다. 차세대 센서는 디지털 뉴딜과 그린 뉴딜의 핵심 부품, 차세대 센서는 데이터 경제의 첫 관문으로 꼽힌다.

차세대 전력 반도체인 SiC(실리콘카바이드), GaN(질화갈륨) 반도체는 기존의 Si(실리콘) 대비 높은 내구성과 전력 효율을 바탕으로 성장 가능성이 높은 분야로, 초기 시장 선점을 위해 정부 R&D를 지속 지원하기로 했다.

또 주력산업의 데이터 수요 증가를 적기에 대응하기 위해 미래선도형 차세대 센서 R&D 지원, 센서 제조혁신 플랫폼 구축, 실증 테스트베드 설립 등 총 5000억원 규모의 예타 사업을 추진한다.

아울러 인공지능(AI)·데이터 생태계의 핵심 기반으로 성장 가능성이 높은 AI 반도체 분야를 집중 지원한다.

이에 따라 인공지능 반도체 R&D의 핵심사업인 차세대 지능형 반도체 기술개발 사업의 본격적 성과 창출을 위해 지난해 831억원(82개 과제)에서 올해 1223억원(117개 과제)으로 지원규모를 확대하기로 했다.

또 미래 컴퓨팅 패러다임을 바꿀 PIM(Processing in Memory : 메모리+프로세서 통합) 기술선점을 위한 선도사업에 본격 착수하고 초격차 기술력 확보를 위한 대규모 예타사업도 추진할 계획이다.

이밖에 국내 기업이 취약한 소프트웨어 역량 강화 등 맞춤형 기술 지원과 연구 성과물의 상용화를 위한 실증까지 전주기적 지원도 추진한다.

성윤모 산업부 장관은 "지난해 1조원 규모의 차세대 지능형 반도체 프로젝트 이후 올해 차세대 센서, 신개념 인공지능 반도체(PIM) 등 대규모 R&D 3대 프로젝트를 마련한다"면서 "향후 10년간 총 2조5000억원이 투입되는 이들 프로젝트가 우리 반도체 생태계 전반에 활력을 불어넣을 것으로 기대된다"고 밝혔다.

최기영 과학기술정보통신부 장관도 "AI 반도체 등 미래 반도체 시장의 주도권 확보를 위해서는 정부의 선제적 투자를 통해 민간의 투자 활성화를 유도하고, 국내 산학연 역량을 결집하는 것이 중요하다"면서 "반도체 제조 역량을 기반으로 차세대 PIM 기술 선점 등 민간의 기술혁신을 적극 뒷받침해 초격차 기술력을 확보하겠다"고 강조했다.

starburyny@news1.kr

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