[컨콜]삼성전자 "14나노 초반대 EUV D램 올해 생산"

강해령 2021. 1. 28. 11:49
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삼성전자는 28일 열린 2020년도 4분기 실적발표회에서 "올해 멀티스텝 극자외선(EUV) 공정을 적용한 10나노급 4세대(1a) D램 제품을 생산할 것"이라고 밝혔다.

한 부사장은 "7세대 제품은 더블스택을 처음으로 적용할 예정으로 업계 최소 높이가 될 것"이라며 "싱글스택 노하우로 멀티스택을 도입해도 탁월한 원가경쟁력을 지닐 것"이라고 밝혔다.

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삼성전자는 28일 열린 2020년도 4분기 실적발표회에서 “올해 멀티스텝 극자외선(EUV) 공정을 적용한 10나노급 4세대(1a) D램 제품을 생산할 것”이라고 밝혔다.

한진만 삼성전자 부사장은 “DDR5 D램은 주요 칩셋업체와 협력해 마케팅을 진행하고 있고, 양산 준비도 차질없이 진행 중”이라고 말했다.

한 부사장은 “7세대 제품은 더블스택을 처음으로 적용할 예정으로 업계 최소 높이가 될 것”이라며 “싱글스택 노하우로 멀티스택을 도입해도 탁월한 원가경쟁력을 지닐 것”이라고 밝혔다.

강해령기자 kang@etnews.com

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