삼성, 7세대 V낸드 양산으로 반도체 '초격차' 이어간다

삼성, 올해 평택 2라인서 7세대 V낸드 양산
"200단 이상 가능...시장 고려해 결정될 듯"
마이크론·SK하이닉스, 176단 양산·개발

삼성전자 평택캠퍼스 2라인. /삼성전자

삼성전자가 올해 ‘7세대 V낸드’ 양산을 예고한 가운데, 반도체 업계의 적층(積層) 경쟁에서 ‘초격차’를 선보일지 관심이 쏠린다. 지난해 미국 반도체 기업 마이크론과 SK하이닉스는 연이어 176단 낸드플래시를 내놓았다. 삼성전자가 현재 양산 중인 낸드는 128단으로, 올해 내놓을 7세대 V낸드는 200단 이상도 가능할 것이라는 분석이 나온다.

13일 업계에 따르면 삼성전자는 올해 중 경기도 평택캠퍼스 2라인에서 7세대 V낸드를 양산할 계획이다. 지난해 6월 평택캠퍼스 2라인에 약 8조원을 투자해 낸드플래시 생산라인 증설 계획을 발표한 이후 라인 구축을 진행 중이다.

낸드플래시는 전원이 꺼져도 데이터를 저장하는 메모리반도체다. 단수가 높을수록 데이터양이 많아지고 성능이 향상된다. 전원이 꺼지면 데이터가 지워지는 D램과는 차이가 있다.

삼성전자가 내놓을 7세대 V낸드는 기존 128단을 넘어설 것으로 관측된다. 낸드플래시는 기본 저장 단위인 ‘셀’을 수직으로 높이 쌓아 올리는 것이 기술력이다. 이종호 서울대 반도체공동연구소장은 "주어진 면적에 메모리 저장을 높이는 것으로, 작은 볼륨에 더 많은 정보를 저장할 수 있다는 의미다"라고 설명했다. 삼성전자는 지난 2013년 24단 낸드를 공개하며 가장 먼저 상용화했다.

지난해 마이크론과 SK하이닉스는 각각 176단 낸드플래시 양산과 개발에 성공했다. 지난 2002년부터 줄곧 세계 낸드 시장 점유율 1위를 기록해왔던 삼성전자로서는 자존심이 상할 수 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 지난해 3분기 기준으로도 삼성전자는 33.1%로 1위를 기록 중이다.

업계는 삼성전자가 내놓을 7세대 V낸드를 160단 이상으로 내다보고 있는데, 200단 이상도 가능할 것으로 관측한다. 실제 삼성전자 역시 지난해 11월 열린 투자자포럼에서 "차세대 V낸드에 투(더블) 스택 기술을 적용할 예정"이라며 "현재 6세대 V낸드는 싱글 스택을 적용해 128단을 쌓는데 투 스택을 적용하면 단순 계산으로 256층 적층도 가능하다"고 했다.

삼성전자는 현재 낸드 양산에 싱글 스택을 적용하고 있다. 싱글 스택은 위에서 아래까지 한 번에 구멍을 뚫는 기술이다. 100단 이상 낸드를 이 기술로 생산하는 것은 삼성전자가 유일하다. 더블스택은 구멍을 낸 낸드 2개를 붙여 만든다.

다만 삼성전자는 7세대 V낸드 단수를 공개하지 않고 있다. 반도체 업계 관계자는 "삼성전자의 적층 단수는 시장 수요 등을 고려해 결정될 것으로 보인다"며 "단수보다는 현 상황에 최적화된 낸드를 내놓는 방안을 고심할 것"이라고 내다봤다. 이종호 소장도 "낸드의 적층은 어느 중간에서 수익성이 있는지 없는지를 따지게 될 것"이라며 "그때 시장 가격이 양산을 결정하게 할 것"이라고 전망했다. 기술 개발을 하더라도 메모리 업계의 호황이 아닐 경우 양산까지 이어지지 않을 수 있다는 것이다.

시장조사업체 옴디아와 반도체 업계는 올해 세계 낸드 시장 매출이 전년보다 14% 증가한 649억9500만달러(약 70조원)로 내다봤다.

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