KIST 김경환 박사 '차세대 스핀메모리소자 새 작동이론' 제시

이주영 2020. 11. 24. 12:12
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한국과학기술연구원(KIST)이 24일 스핀융합연구단 김경환 박사팀이 차세대 메모리 소자인 스핀 메모리 소자에서 정보가 기록되는 강자성층에 외부에서 스핀을 주입하는 기존 방식과 달리 강자성층에 전류를 직접 공급해 자체 스핀 방향을 바꾸는 새 작동원리를 제시했다고 밝혔다.

이 연구 결과는 물리학 분야 국제학술지 '피지컬 리뷰 레터스'(PRL) 최신호에 게재됐다.

사진은 기존 외부 스핀 주입 방식과 자가생성 스핀 방식의 비교.

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(서울=연합뉴스) 한국과학기술연구원(KIST)이 24일 스핀융합연구단 김경환 박사팀이 차세대 메모리 소자인 스핀 메모리 소자에서 정보가 기록되는 강자성층에 외부에서 스핀을 주입하는 기존 방식과 달리 강자성층에 전류를 직접 공급해 자체 스핀 방향을 바꾸는 새 작동원리를 제시했다고 밝혔다.

이 연구 결과는 물리학 분야 국제학술지 '피지컬 리뷰 레터스'(PRL) 최신호에 게재됐다.

사진은 기존 외부 스핀 주입 방식과 자가생성 스핀 방식의 비교. 2020.11.24

[한국과학기술연구원 제공. 재판매 및 DB 금지]

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