삼성전자 화성 반도체사업장 17라인 본격 가동

1단계는 고부가 D램 주력…메모리 시장지배력 초격차로 벌리겠다는 전략

[헤럴드경제=권도경 기자] 삼성전자가 경기도 화성사업장 17라인을 곧 본격 가동한다.

26일 반도체업계에 따르면 화성 17라인의 1단계(Phase) D램 라인은 3분기 들어 초기 가동을 시작했으며 2단계(PhaseⅡ) 라인도 연말까지는 가동에 들어갈 것으로 전망된다.

반도체업계 관계자는 “화성 1단계 라인은 첨단 D램을 생산하고 2단계 라인은 시스템 반도체를 생산할지 검토하는 상황”이라고 말했다.

삼성전자는 본격가동하는 17라인에서 DDR4 등 최첨단 D램을 주력 생산한다는 예정이다. 이에 따라 삼성전자는 화성 17라인의 고부가 D램 양산 체제와 중국 시안 공장의 V낸드 양산 라인을 동시에 갖추게 된다. 14나노 핀펫(FinFet) 등으로 대표되는 시스템 반도체는 미국 오스틴 공장 등 여러 단지에서 생산되는 체제다.

최근 삼성전자는 반도체 제품구성을 고사양으로 개선하는데 주력하고 있다. PC 등에 들어가는 스탠더드 D램 생산비중을 줄이고 수익성이 좋은 모바일 D램과 DDR4의 비중을 늘리고 있다. 성장성이 좋은 고부가 D램을 앞세워 수익성과 시장지배력을 최고조로 끌어올리겠다는 전략이다. 모바일 D램의 경우 삼성전자는 올 2분기 점유율(매출기준) 57.6%로 전분기 대비 5.5%포인트 늘렸다.

삼성전자는 차세대 초고속메모리 반도체 양산도 준비하고 있다. 초고성능 그래픽카드(GPU) 구현에 최적화된 ‘고대역폭 메모리’(HBMㆍHigh Bandwidth Memory)와 현재 주력생산하는 ‘DDR4 D램’보다 동작속도가 2배가량 빠른 ‘DDR5 D램’(가칭) 등이다.

한편 업계에서는 17라인 본격 가동 이후 D램 공급 과잉을 유발할 가능성이 낮다는 의견이 지배적이다. 삼성전자는 메모리 시황을 보수적으로 판단하는 기조가 강해 가동률을 낮은 수준으로 유지할 것이라는 전망이다.

또 일반 PC D램이나 고부가 D램이 수급 측면에서 사이클을 타기 때문에 라인 증설이 곧바로 공급 과잉으로 직결되지는 않는다는 관측이다.

권도경 기자/kong@heraldcorp.com
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