화인SPN, 전력용 반도체 모듈 개발

화인SPN(대표 안성근 http://www.finespn.com)은 기존 제품에 비해 에너지 손실을 최대 절반까지 줄일 수 있는 절연게이트형양극성트랜지스터(IGBT) 모듈<사진>을 개발했다고 13일 밝혔다.

　이번에 개발한 제품들은 600V 75A, 150A, 200A, 400A급 4종으로 산업용 인버터나 대전력 모터구동기기, 무정전전원공급장치(UPS), 용접기 등의 전원 제품으로 사용하기 적합하다.

　화인SPN이 이번에 개발한 IGBT 모듈은 포화전압(Vce)이 1.5V며, 1.9∼2.7V에 이르는 기존 IGBT 모듈과 비교할 때 에너지 손실을 25%에서 50% 이상 줄일 수 있다. 스위칭 속도도 빨라 고속 기기에 응용할 수 있다.

　이 제품은 산업자원부의 전력IT사업 중 하나인 '분산 발전 및 산업용 인버터 응용을 위한 전력반도체 기술 개발' 사업 일환으로 개발됐다. 화인SPN은 이 제품 평가를 위해 산자부의 전력반도체 기술개발 사업의 세부 주관기관인 LS산전에 시제품을 제출했다.

　화인SPN의 김경수 부사장은 "전력용 반도체는 디지털 사회의 에너지 요구를 충족시키는 핵심사업으로 그 중요성이 날로 증가하고 있다"며 "이번에 개발된 IGBT 모듈은 세계 선도기업의 최우수 제품과 동등한 수준의 성능을 구현하고 있어 국내 시장 확대는 물론이고 향후 수입대체도 기대한다"고 말했다.

　 문보경기자@전자신문, okmun@

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