“연봉 30억 받고”… 검찰, 中에 삼성전자 기술 넘긴 前 임원 구속기소

삼성전자 12나노급 그래픽용 D램인 24기가비트(Gb) GDDR7. /삼성전자 제공

삼성전자 기술을 불법으로 유출해 중국에서 D램 생산을 주도한 혐의를 받는 전직 삼성전자 임원 등 3명이 구속 기소됐다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장 김윤용)는 삼성전자의 18나노 D램 공정 국가핵심기술을 중국 반도체 회사로 유출해 부정 사용한 혐의로 A씨 등 CXMT(청신메모리반도체) 핵심 개발 인력 3명을 구속 기소했다고 1일 밝혔다.

CXMT는 중국 지방정부가 2조6000억원을 투자해 설립한 중국 최초의 D램 반도체회사다. A씨 등은 삼성전자에서 중국 D램 반도체 회사 청신메모리반도체(CXMT)로 이직한 뒤 삼성전자의 18나노 D램 공정 국가핵심기술을 부정 사용해 중국에서 D램을 개발한 혐의를 받는다.

이 사건에서 유출된 국가핵심기술은 삼성전자가 1조6000억 원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램의 최신 공정 기술이다. D램을 제조하는 수백 단계의 공정정보가 그대로 기재된 핵심 정보인 것이다.

앞서 검찰은 삼성전자의 국가핵심기술 유출 정황을 발견하고 직접 수사에 착수해 지난 2024년 1월 삼성전자 부장 출신 김모씨, 지난 5월 삼성전자 연구원 출신 전모씨 등 2명을 국가핵심기술 부정 취득 혐의로 각각 구속 기소 했다. 김씨는 1심에서 기술 유출 역대 최고 형량인 징역 7년을 선고받았다.

A씨 등은 CXMT로부터 삼성전자 임원급 연봉의 3~5배인 15억~30억원의 급여를 지급받은 것으로 조사됐다.

검찰에 따르면 이 사건으로 삼성전자의 손해는 2024년 추정 매출감소액만 5조 원에 이르렀고 향후 최소 수십조원의 피해가 예상된다. 이는 역대 최대 기술 유출 사건이라는 것이 검찰 판단이다.

검찰 관계자는 “앞으로도 피해기업과 국가 경제를 위협하는 기술 유출 범죄에 엄정 대응하도록 하겠다”고 밝혔다.

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