HBM4E 스펙 ‘무승부’…삼성은 IDM, SK는 엔비디아 동맹 과시
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삼성전자와 SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM4E)에서 동일한 최고 목표 성능을 내걸며 기술 주도권 경쟁을 이어갔다. 양사는 14일 서울 코엑스에서 개막한 'SEDEX 2026(제28회 반도체대전)'에서 HBM4E를 전시한 가운데 '최대 16.0Gbps' 속도와 '최대 4.0TB/s' 대역폭 성능을 나란히 제시했다.
SK하이닉스 역시 전시관 내 HBM 조형물 최상단에 HBM4E 샘플 실물과 스펙을 전시했다.
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삼성전자는 부스 중심에 HBM4E 실물을 전시하고, 투명 디스플레이에 HBM4E의 세부 성능 지표를 공개했다. 최대 48GB 용량, 최대 16.0Gbps 속도, 최대 4.0TB/s 대역폭을 명기했다. 5월 고객사로 샘플 출하 당시 안정 구동 기준(14Gbps)으로 알렸던 3.6TB/s를 넘어, 최대 구동 속도를 전제로 한 성능 한계치를 공식화했다.
삼성전자는 메모리 코어다이부터 로직 설계와 파운드리 베이스다이, 첨단 패키징까지 일괄 처리하는 종합반도체기업(IDM) 역량을 집중 부각했다. 1c D램 코어와 자체 4나노 공정 기반의 베이스다이를 결합한 HBM4E 제조 경쟁력을 내세우며 차별화에 나섰다.
차세대 3D 적층 기술인 'zHBM'과 'zNAND-O' 모형도 전면에 내세웠다. 연산장치 위에 메모리를 수직 적층한 zHBM은 HBM4E 대비 GPU당 성능을 4~8배, 와트당 성능을 최대 3배 높인다. 3D 패키징을 결합한 zNAND-O는 기존 낸드보다 읽기 대역폭과 에너지 효율을 최대 7배 향상시켰다.
SK하이닉스 역시 전시관 내 HBM 조형물 최상단에 HBM4E 샘플 실물과 스펙을 전시했다. 표기된 수치는 32Gb 단품 기반 48GB 용량(12단), 최대 16.0Gbps 속도, 최대 4.0TB/s 대역폭으로 삼성전자와 완전히 일치했다.
엔비디아 차세대 가속기 '베라 루빈 슈퍼칩' 다이어그램도 전시했다. 총 576GB 용량의 HBM4(36GB 12단)와 최대 1.5TB 규모의 LPDDR5X(SOCAMM2 최대 192GB)가 탑재된다는 세부 사양을 명시해 상용화 주도권을 강조했다.
안현 SK하이닉스 개발총괄(사장)은 14일 SEDEX 2026 기조연설에서 "현재 가장 집중하고 있는 것은 HBM으로, 올해 HBM4E에 이어 2027년 HBM5와 커스텀 HBM4E로 지속 발전할 것"이라며 "커스텀 HBM의 베이스다이에는 고객들과 상의해 여러 IP가 맞춤형으로 들어가며 장기적으로 커스텀 트렌드가 더 확대될 것"이라고 말했다.
SK하이닉스는 차세대 메모리 아키텍처 모형과 모바일 신제품도 공개했다. 황 CEO의 서명이 담긴 46만배 확대 HBM 모형을 통해 로직 다이에 신경망처리장치(NPU) 코어와 컨트롤러를 넣은 내부 구조를 시연했다. 낸드를 적층한 'HBF' 모형과 0.5~1.0V 전압에서 10.7Gbps 속도로 작동하는 초소형 'LPDDR6' 실물도 선보였다.
양사가 공개한 HBM4E 규격은 현 단계에서 구현 가능한 업계 최고 수준의 목표 성능이다. 양사의 치열한 경쟁은 시장 점유율에서도 드러난다. 카운터포인트리서치에 따르면 올해 2분기 글로벌 HBM 매출 점유율은 SK하이닉스가 50%로 선두를 달렸고, 삼성전자(33%)와 마이크론(18%)이 뒤를 이었다.
다만 1분기 58%였던 SK하이닉스의 점유율이 2분기 8%포인트 하락한 반면, 삼성전자는 21%에서 33%로 12%포인트 급상승하며 격차를 좁혔다.
이광영 기자
gwang0e@chosunbiz.com
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