[Tech & Now] 화웨이, "EUV 없이 2031년 1.4나노급 생산"…TSMC·삼성 맹추격

독자 패러다임 '타오의 법칙' 첫 공개…올가을 차세대 '키린' 칩 적용
'EUV 필수' 업계 기존 통념에 도전…일각선 대량 양산 가능성 의문

[출처=연합]

중국 화웨이가 독자적인 반도체 패러다임인 '타오의 법칙(the Tau Scaling Law)'과 신기술을 앞세워 글로벌 파운드리(반도체 위탁생산) 선두 기업들과의 기술 격차 좁히기에 나선다. 특히 미국의 제재로 확보가 막힌 네덜란드 ASML의 극자외선(EUV) 노광장비 없이 초미세 공정의 한계를 돌파하겠다는 구상이다.

26일(현지시간) 제일재경 등 중화권매체에 따르면, 화웨이 반도체사업부 및 설계 자회사 하이실리콘의 허 팅보 총재(사장)는 25일 열린 반도체 콘퍼런스에서 '반도체의 새로운 경로 탐색 및 실천'이라는 주제의 연설을 통해 이 같은 계획을 밝혔다.

지난 20여 년간 화웨이 반도체 사업을 이끌어 온 허 총재가 공개 연설에 나선 것은 이례적이며, 이날 '다층 전자 시스템의 시간 축소 이론' 논문도 함께 발표됐다.

이날 화웨이가 중국 반도체 산업 최초로 제시한 '타오의 법칙'은 트랜지스터 크기를 물리적으로 줄이는 기존 무어의 법칙(기하·공간적 축소)과 달리, 신호 전달 시간을 단축하는 '시간 축소'에 초점을 맞춘다. 타오(Tau)는 물리학에서 신호 전달에 필요한 기본 시간상수를 의미한다.

화웨이는 이 법칙을 기반으로 개발한 '로직폴딩(LogicFolding)' 아키텍처를 공개했다. 이는 칩 내부에 탑재되는 트랜지스터 밀도를 높이고 데이터 전송 속도를 최적화해 전체적인 반도체 성능을 향상시키는 기술이다.

화웨이는 지난 6년간 타오의 법칙에 근거해 381종의 반도체를 설계 및 양산해 왔으며, 올가을 로직폴딩 기술을 전면 도입한 차세대 '키린(Kirin)' 모바일 칩을 최초로 선보일 예정이다.

목표는 2031년까지 1.4나노미터(㎚·10억분의 1m) 공정과 같은 수준의 트랜지스터 밀도에 도달하는 것이다. 현재 대만 TSMC가 2028년 하반기, 삼성전자가 2029년 1.4나노 양산에 들어갈 것으로 예상되는 가운데, 화웨이가 계획을 달성할 경우 선두 기업들과의 기술 격차는 크게 줄어들 전망이다.

허 총재는 발표에서 "지속 가능한 진화를 위한 방법을 찾았다"고 선언했다. 이어 기자들과 만나 첨단 EUV 노광장비가 없는 상황에서도 반도체 제조 역량을 크게 향상할 수 있다고 부연했다. 이는 5나노 이하 초미세 칩 양산에 EUV 장비가 필수적이라는 업계의 지배적인 통념을 뒤집는 주장이다.

그는 "올해 우리는 업계 전체를 놀라게 할 무언가를 준비해 왔다. 포화 상태도, 단순한 연장이 아니라 거대한 도약"이라고 기술적 성과를 강조하며, "올해 겨울 전에 놀라운 것을 선보일 것이다. 큰 도약이 있을 것"이라고 자신감을 드러냈다.

이 같은 발표 직후 하이실리콘의 파운드리 파트너사인 중국 SMIC의 주가는 홍콩 증시에서 장중 10% 이상 급등했다.

다만 업계 일각에서는 화웨이의 계획에 대해 회의적인 시각도 제기된다. 엔비디아와 AMD 등 글로벌 기업 역시 무어의 법칙을 대체할 방안을 모색 중인 상황에서, 타오의 법칙에 따른 상업적 대량 양산 가능성은 아직 검증되지 않았다는 지적이다.