‘HBM 개발 주역’ 김종환 SK하이닉스 부사장, 철탑산업훈장 수상

59회 발명의 날 기념 AI 메모리 개발 공로 포상
10나노 미세공정 설계 김웅래 팀장 국무총리표창

김종환(왼쪽) SK하이닉스 D램개발 담당 부사장과 김웅래 D램코어디자인 팀장이 제59회 발명의 날 기념식 포상에서 각각 철탑산업훈장과 국무총리표창을 수상했다. [SK하이닉스 제공]

[헤럴드경제=김현일 기자] SK하이닉스는 지난 21일 서울 중구 대한상공회의소에서 열린 ‘제59회 발명의 날 기념식’에서 김종환 부사장(D램개발 담당)이 철탑산업훈장을, 김웅래 팀장(D램코어디자인)이 국무총리표창을 수상했다고 22일 밝혔다.

김종환 부사장은 SK하이닉스 D램 기술 개발을 이끌며 AI 메모리 개발 공적을 인정받아 철탑산업훈장을 수상했다.

김 부사장은 2021년부터 회사의 D램 개발을 총괄해왔다. 2022년 6월 4세대 고대역폭 메모리(HBM) 제품 HBM3 양산에 성공하고, 지난해 8월에는 5세대 제품인 HBM3E를 개발했다.

또한 메모리에 연산 기능을 더한 차세대 지능형 메모리인 PIM(Processing-In-Memory) 개발에 이어 메모리와 다른 장치들 사이에 인터페이스를 하나로 통합해 제품 성능과 효율성을 동시에 높여주는 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 메모리 개발에도 기여했다.

김 부사장은 “첨단 기술력 확보라는 큰 목표를 이루는 데 함께해 준 구성원들에게 감사의 뜻을 전한다”며 “SK하이닉스가 HBM3와 HBM3E 개발을 통해 글로벌 AI 메모리 시장을 선점하고 대한민국의 위상을 높였듯이 차세대 AI 메모리 개발에도 박차를 가해 리더십을 이어 나가겠다”고 말했다.

국무총리표창을 수상한 김웅래 팀장은 D램 10나노급 미세공정에 도입되는 회로 관련 설계 기술을 개발해 제품 성능향상과 원가절감을 이뤄낸 점을 인정받았다. 모바일용 저전력 D램인 LPDDR4와 LPDDR5의 초고속·저전력 동작 기술을 개발하고 핵심 특허를 출원해 국가 지식재산(IP) 확보에도 기여한 점을 높이 평가받았다.

김 팀장은 “회사의 아낌없는 투자와 함께 구성원들이 원팀 마인드로 합심해준 덕분에 이룬 성과”라며 “앞으로도 D램 분야에서 선도적인 기술력을 갖출 수 있도록 최선을 다할 것”이라고 밝혔다.

joze@heraldcorp.com