2나노 파운드리·1c D램···전영현, '초격차' 회복 과제 안았다 [biz-플러스]
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삼성전자 반도체(DS) 부문의 새로운 수장이 된 전영현 부회장은 고대역폭메모리(HBM) 외에도 회사가 반도체 사업에서 맞닥뜨린 다양한 위기를 해결해야 한다.
한편 전임 DS 부문장인 경 사장은 전 부회장이 맡고 있던 미래사업기획단장으로 이동하며 차세대 메모리, 파운드리 기술 발굴에 집중할 것으로 예상된다.
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삼성전자 반도체(DS) 부문의 새로운 수장이 된 전영현 부회장은 고대역폭메모리(HBM) 외에도 회사가 반도체 사업에서 맞닥뜨린 다양한 위기를 해결해야 한다. 전임인 경계현 사장은 전 부회장이 맡고 있던 미래사업기획단장으로 자리를 옮기면서 미래 먹거리 발굴에 집중할 것으로 보인다.
21일 업계에 따르면 전 부회장은 삼성전자가 영위하고 있는 파운드리(반도체 위탁 생산), 범용 메모리 사업에서 회사가 목표로 하는 ‘초격차’를 달성해야 하는 과제를 안고 있다.
우선 파운드리 사업은 라이벌 TSMC와의 기술·점유율 격차를 줄여야 한다. 삼성 파운드리는 2019년 이재용 삼성전자 회장이 선언한 ‘2030년 시스템반도체 1위 비전’의 주축 사업이다. 2019년 극자외선(EUV) 노광, 2022년 3㎚(나노미터·10억분의 1m) 게이트올어라운드(GAA) 공정을 세계에서 처음으로 시작하며 TSMC를 추격했지만 글로벌 ‘빅테크’들이 삼성전자보다 TSMC의 공정을 선택하면서 점유율 격차가 쉽게 좁혀지지 않고 있다. 내년부터 시작될 2나노 시대에서 삼성이 승기를 잡으려면 전 부회장만의 승부수가 필요하다는 게 업계 중론이다.
HBM 외에 범용 D램, 낸드플래시에서도 라이벌 회사들과의 기술 격차를 벌려야 하는 숙제도 있다. 삼성전자는 올해 3분기에 신제품인 10나노급 6세대(1c) D램을 양산할 계획이다. 삼성전자는 이 제품도 ‘세계 첫 생산’ 타이틀을 노리고 있지만 과거에 비해 라이벌 회사들과의 기술 경쟁력이 좁혀졌다는 지적을 받는다. 인공지능(AI) 서버용으로 각광받는 쿼드레벨셀(QLC) 낸드 분야에서도 SK하이닉스와 솔리다임의 약진이 두드러지면서 삼성의 독보적인 낸드 기술력을 흔들리고 있다는 우려도 팽배하다.
업계의 한 관계자는 “파운드리에서는 TSMC, 메모리에서는 SK하이닉스의 활약으로 삼성전자의 업계 위상이 흔들리고 있다”며 “전 부회장이 과감한 결단으로 삼성의 변화를 이끌어야 하는 상황”이라고 평가했다.
한편 전임 DS 부문장인 경 사장은 전 부회장이 맡고 있던 미래사업기획단장으로 이동하며 차세대 메모리, 파운드리 기술 발굴에 집중할 것으로 예상된다. 업계 관계자는 “경 사장은 삼성전자와 삼성전기 대표 경험을 살려 삼성전자 관계사의 미래 먹거리 발굴에 기여할 것으로 기대된다”며 “이번 원포인트 인사가 삼성전자의 불확실성을 해소하고 현재와 미래의 두 마리 토끼를 잡는 윈윈 전략일 될 것”이라고 해석했다.
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