반도체 신화 쓴 ‘최고 기술통’ 재등판… 삼성전자, AI 메모리 선두 탈환 속도낸다

■ 반도체 새 수장에 전영현
3D낸드 기술 개발 주역이자
배터리 사업 등 키워낸 인물
삼성측 “기술혁신·조직쇄신”
HBM 위상 회복 강한 의지

삼성전자가 반도체 수장을 전격 교체한 것은 인공지능(AI) 메모리 반도체 초격차 경쟁력 회복을 위한 ‘승부수’라는 분석이 나온다. 전 세계적인 AI 기술 경쟁으로 반도체 시장 규모가 커지는 가운데, SK하이닉스가 선점해 온 고대역폭메모리(HBM)를 비롯한 AI 반도체 분야에서 삼성전자가 초격차 경쟁력을 회복하겠다는 의지로 해석된다.

삼성전자가 이처럼 원 포인트로 주력 사업 부문장 교체 인사를 낸 것은 이례적인 것으로, 그만큼 대내외에 경쟁력 강화를 위한 강력한 메시지를 전달한 것으로 재계는 받아들이고 있다.

21일 삼성전자는 전영현 부회장을 DS부문장에 위촉하면서 “신임 DS부문장인 전 부회장을 중심으로 기술 혁신과 조직의 분위기 쇄신을 통해 임직원이 각오를 새롭게 하고 반도체의 기술 초격차와 미래 경쟁력을 강화할 것으로 기대한다”고 밝혔다.

전 부회장은 삼성그룹 내 최고의 ‘기술통’으로 손꼽힌다. 메모리와 배터리 사업을 최고 수준으로 성장시킨 주역이라는 평가도 받고 있다. LG반도체 D램 개발팀 출신으로 삼성전자 부회장까지 오른 인물이다.

그는 1991년부터 LG반도체 D램 개발팀 연구원으로 입사해 근무하다가 LG반도체가 현대전자에 합병되면서 2000년 삼성전자 D램 개발실로 자리를 옮겼다. 이후 2006년 설계팀장, 2009년 D램 개발실장을 거쳐, 2014년 메모리사업부장(사장)을 맡았다. 메모리사업부장 시절 전 부회장은 20나노(1㎚·10억 분의 1m) 이하 미세 공정 개발을 주도했다. 삼성전자의 D램 미세공정과 3D낸드 적층기술 개발에 당시 핵심적인 역할을 한 것으로 알려졌다. 2012년 삼성전자 반도체 사업의 영업이익이 연간 4조 원대까지 떨어지며 어려움을 겪었지만 전 부회장이 메모리사업부장을 맡은 이후 반도체 사업부의 영업이익은 13조 원대까지 회복했고 D램과 낸드플래시 모두 세계 1위 자리를 지켰다.

삼성전자는 이번 인사를 통해 SK하이닉스가 선점한 HBM 분야에서 올해 선두 자리 탈환을 위한 전략에 박차를 가할 것으로 보인다. 올해 HBM 시장 규모는 지난해(43억 달러)보다 네 배로 늘어난 169억 달러에 달할 전망이지만, 삼성전자는 아직 초기로 평가받는 올해 HBM 시장에서 기존 메모리 시장만큼의 위상을 회복하지 못하고 있다.

삼성전자는 “전 부회장은 메모리 반도체와 배터리 사업을 글로벌 최고 수준으로 성장시킨 주역으로 그간 축적된 풍부한 경영 노하우를 바탕으로 반도체 위기를 극복할 것으로 기대한다”며 “경계현 사장은 전기 대표이사, 전자 대표이사 겸 DS부문장을 맡았던 경험과 네트워크를 활용해 삼성전자, 전자 관계사의 미래 먹거리 발굴에 기여할 것으로 기대한다”고 밝혔다.

이용권 기자 freeuse@munhwa.com